在执行副总统默文·凯利（Mervin Kelly）的鼓励下，威廉·肖克利（William Shockley）于1945年初从战时任务中归来，开始在贝尔实验室组织一个固态物理小组。除此之外，该小组还致力于研究用半导体替代不可靠的真空管和随后用于贝尔电话系统的机电开关。那年4月，他构思了一种基于战时开发的锗和硅技术的“场效应”放大器和开关，但未能按预期工作。一年后，理论物理学家约翰·巴丁（John Bardeen）提出，半导体表面上的电子可能阻碍了电场对材料的渗透，从而抵消了任何影响。巴丁与实验物理学家沃尔特·布拉坦一起开始研究这些“表面态”的行为
1947年12月16日，他们的研究达到了顶峰，研制出了第一台成功的半导体放大器。Bardeen和Brattain在一小块高纯度锗板的表面上用塑料楔子固定住两个紧密间距的金触点。一个触点上的电压调制流经另一个触点的电流，将输入信号放大100倍。12月23日，他们向实验室官员展示了他们的设备，肖克利认为这是“一份华丽的圣诞礼物”
1948年6月30日，贝尔实验室在纽约举行的新闻发布会上公开宣布，这一革命性的固态器件由电气工程师约翰·皮尔斯命名为“晶体管”。一位发言人声称，“它可能在电子和电气通信方面具有深远的意义。”尽管它的机械结构很精细，但仍有数千个单元是在一个金属盒式封装中生产的，被称为贝尔实验室的“A型”晶体管。
- 沃尔特·布拉坦（Walter Brattain）。贝尔实验室日志（1947年12月），第7-8、24页。
- John Bardeen和Walter Brattain，“晶体管，半导体三极管”物理审查74（1948年7月15日）第230-231页。
- Bardeen，J.和Brattain，W.“使用半导体材料的三电极电路元件”美国专利2524035（1948年6月17日提交，1950年10月3日发布）。
- Becker J.A.和Shive，J.N.“晶体管——一种新型半导体放大器”电气工程第68卷（1949年3月），第215-221页。
- 约翰·巴丁。“半导体研究引领点接触晶体管”诺贝尔物理学讲座1942-1962年，（阿姆斯特丹：爱思唯尔出版公司，1964年）。
- 奥加滕，斯坦。“现代电子技术的诞生”最新技术：集成电路摄影史（纽黑文和纽约：蒂克诺和菲尔德出版社，1983年）第2页
- 莉莲·霍德森。“点接触晶体管的发现”物理科学中的历史研究，第12卷第1期（1981年）第43-76页。
- 你好，尼克。电气工程师，1993年由美国新泽西州新不伦瑞克罗格斯大学IEEE历史中心的Frederik Nebeker主持口述历史。
- 迈克尔·里尔丹和莉莲·霍德森，水晶之火：信息时代的诞生（纽约：W.W.Norton，1997）第115-141和155-167页。
- 1977年5月12日，Lillian Hoddeson对John Bardeen的采访，Niels Bohr图书馆和档案馆，美国物理研究所，马里兰州大学公园，20740。
- Alan Holden等人于1964年1月1日和1974年5月28日对Walter H.Brattain的采访，Niels Bohr Library&Archives，American Institute of Physics，College Park，MD 20740。
- 莉莲·霍德森于1974年9月10日对威廉·肖克利的采访，尼尔斯·玻尔图书馆和档案馆，美国物理研究所，马里兰州大学公园，邮编：20740。
