康罗伊，M。和李，H。和库什，G。和赵，C。和哦，B。和Edwards，P.R。和马丁·R·W·。和霍姆斯，J.D。和P.J.帕布鲁克。(2016)纳米GaN棒上的位置控制红绿发光InGaN量子盘。
纳米级, 8 (21).第11019-11026页。国际标准刊号2040-3372(https://doi.org/10.1039/c6nr00116e)
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文本。文件名：康罗伊_塔尔_纳米级2016_现场控制_红色_黄色_绿色_灯光_发射_ InGaN_quantum_discs.pdf
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摘要
我们报道了一种通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）在无聚结超高密度（>80%）纳米棒模板上以均匀晶片规模生长位置控制的InGaN多量子盘（QD）的方法。GaN空间填充纳米棒阵列的位错和无聚结特性消除了InGaN可见光源中常见的发射问题，这些类型的晶体缺陷导致了这些问题。相关扫描透射电子显微镜（STEM）、能量色散X射线（EDX）成像和阴极发光（CL）高光谱成像说明了这些纳米尖端红、黄、绿（RYG）发射的受控位置选择。本文揭示了纳米棒尖端在RYG可见范围内的宽发射实际上是通过操纵InGaN量子点的限制尺寸实现的，而不是显著增加in%。本文详细介绍了一种易于控制的方法，该方法可以控制量子点尺寸，从而产生高晶体质量的InGaN，而不需要复杂的生长条件来进行应变弛豫和体平面GaN模板所需的合金成分变化。
