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原始论文的主张[Renninger(1976)]。J.应用。克里斯特。 9,178-180]全部的涡流缺陷可以通过所提出的方法检测,现在必须进行修改。

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描述了一种X射线形貌的双衍射方法,该方法通过相对较低的显示器显示出as-grown硅中最小的晶体缺陷。

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讨论了一种新的三维晶体表征技术,该技术基于X射线衍射形貌和计算微观形貌相结合,并给出了人造金刚石单晶的首次实验结果。

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当原子和晶胞位于晶体的节点上时,晶体中会出现新的缺陷{\bb Z}-模块,关于的三维投影N个-维度晶格。这些缺陷是由于结构从N个到三维。举例说明了这些过程。预计会出现一种新的位错,这里称为“标量位错”;它不会产生变形,也不会与应力场发生相互作用。

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利用X射线形貌法研究了顺电-铁电相变对硫酸铵单晶晶体完整性的影响。

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应用高分辨率三轴X射线衍射对鸡蛋白溶菌酶晶体的缺陷结构进行了表征。

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实验分析显示了局部平面波技术在X射线反射计和孤立缺陷周围应变场可视化中的有趣应用。

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通过高分辨率漫X射线散射测量,研究了无晶界、低位错密度的锗酸铋单晶中的点缺陷及其团簇。

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研究了基于Borrmann效应的X射线形貌术中在边缘位错位置观察到的对比花环。利用对比度方程的修正来考虑边缘位错周围的局部晶格变形,构造了这种花环的模拟图像。它们与实验获得的ZnGeP中边缘位错的图像显示出很好的一致性2

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