研究了在高分辨率电子显微镜下对碳化硅多型体进行直接结构成像的适宜条件。弱相物体计算证实，在可以直接识别多型堆叠序列之前，需要优于2.5Å的分辨率。此外，要解析投射的Si-C原子对，需要接近1º的分辨率，要区分这两个物种，需要比1º好得多。基于电流和投影电子光学特性的大量多层计算表明，在500 kV至45-75°厚度的电压下，多型叠加应该是可识别的，但在100 kV电压下，可能无法识别，除非是在具有极相干照明的“反向”Scherzer离焦位置。傅里叶图像的出现使正确物镜离焦的识别变得复杂，尤其是对于3C多型薄晶体。在较厚的晶体区域（≥100º），线性图像贡献较小，衍射光束之间的相互干扰通常导致分辨率明显提高的多型图像，并且在特定厚度和离焦值下，导致3C图像类似于“原子对”配置。然后通过考虑图像振幅和强度谱来解释后者。最后，简要讨论了从中等厚度晶体中恢复样品结构的问题，以及影响任何定量实验研究的一些因素。
