基于X射线摇摆曲线数据的亚微米分辨率硅晶体二维晶格畸变映射

A.余。尼库林，O.坂田，H.哈希祖姆和P.V.Petrashen（彼得拉森）

在离子注入（111）硅晶体的薄表面层中，垂直于表面的晶格畸变被映射为深度和横向位置的函数，分辨率分别为0.05和0.65μm。从横向具有周期性超结构调制的样品中，在基波111附近和卫星反射附近收集了X射线三晶衍射数据。300千伏B⁺通过表面掩模窗口注入的离子在表面以下1.05μm深度的0.15μm厚的薄层中产生晶格畸变，垂直于表面的晶面晶格间距增加了10分之几⁴畸变在横向上明显扩展，表明离子扩散。发现0.5μm厚的热氧化物条带将条带区域下方衬底硅晶体的面间距缩小了10分之几⁴而平行氧化边产生的应变场延伸超过3μm的深度。还描述了在应变场涉及严重畸变层的情况下，用于求解相位问题的实用程序。

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镓离子注入碳化硅的XAFS研究

H.山口和田中Y

利用扩展X射线吸收精细结构研究了镓离子注入碳化硅的局部结构。比较了在几种不同的注入温度和注入后退火条件下制备的样品中注入层的结晶度。结果表明，室温下的注入导致了显著的损伤，但随后在1600℃高温下退火，结晶度恢复。另一方面，在500°C的高温下注入可获得最佳结晶度，但退火会导致结晶度降低。这表明高温注入后退火对原子级结晶度的影响，这与电子显微镜观察到的晶格二次缺陷有关。

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嵌入FeSi变形Si基体中晶格应变分布的X射线Bragg表面衍射解析₂纳米粒子

R·朗，A.S.de Menezes公司，A.O.多斯桑托斯，S.Reboh公司，E.A.梅内塞斯，L.阿马拉和卡多佐（L.Cardoso）

通过同步辐射X射线多重衍射，以入射光束能量为函数，解析了被嵌入球状和板状纳米颗粒扭曲的硅晶格中的弹性应变分布。（111）Bragg表面衍射峰剖面的映射显示出显著的各向异性效应，主要由定向的板状纳米颗粒诱导。

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AniCryDe公司：硅和锗晶体弹性特性的计算

R.卡马塔里，L.兰佐尼，V.贝鲁奇和五、贵地

代号为AniCryDe公司为了计算硅或锗晶体的各向异性弹性性质，已经发布了。对于所选择的结晶取向，AniCryDe公司计算几个关键的机械参数。该程序具有用户友好的界面，使其易于操作和直观。

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用白光和平面波同步辐射形貌术表征注入半导体

K.威特斯卡，W.Wierzchowski先生，W.格拉夫，A.图罗斯和R.Grötzschel先生

离子注入诱导的应变曲线是针对A类^三B类^V（V）用重离子注入的化合物和用轻离子注入硅的化合物。基于这些轮廓，解释了一些衍射现象。

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氮/氧离子辐照硅晶体的XANES分析

吉田（T.Yoshida），T.哈拉，T.Ii公司，H.吉田和田边T

应用X射线吸收技术对5keV氮/氧离子注入硅样品进行了表征。通过PEY模式记录XANES的深度选择性测量和XANES光谱叠加的定量分析来阐明注入离子的深度分布。研究表明，经过长时间的N⁺辐射，它从表面延伸到受损区域的深层。另一方面，对于O⁺辐照时，二氧化硅相仅在损伤区域的浅部产生，即二氧化硅相可能在辐照过程中断裂。

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硅中氖和氦注入引起的空穴和{113}缺陷的GISAXS研究

D.巴博诺，佩里波利猪笼草，M.-F.博福特，J.-F.巴博特和J.-P.西蒙

利用掠入射小角X射线散射实验研究了氖和氦离子注入Si（001）中形成的纳米空泡和{113}缺陷的形貌。

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用广义模拟退火法测定离子注入单晶的应变分布

A.博尔和A.德贝尔

利用高分辨率X射线衍射和广义模拟退火算法测定了离子注入单晶中的应变分布。

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硅上III–V单片集成GaP/Si应变分布的扫描X射线衍射研究

A.周，王永平（Y.Ping Wang），C.科奈特，Y.Léger先生，L.Pédesseau女士，V.法夫雷·尼科林，G.A.Chahine公司，T·U·舒利，J.Eymery公司，巴赫里先生，L.Largeau公司，G.父权制，O.杜兰德和A.莱托布隆

利用无损亚微米X射线衍射扫描技术研究了塑性松弛缺陷的分布。

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