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《水晶学报》。
(1987).
A类
43
,
C216型
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含位错晶体中波场路径的动画模拟
Y.Epelboin公司
,
C.吉迪·莫罗西尼
,
F.莫里斯
,
A.里姆斯基
和
A.索耶
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《水晶学报》。
(1975).
A类
31
,
591-600
https://doi.org/10.107/S056773947501283
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模拟champs d'ondes dans非晶体内位错
Y.Epelboin公司
计算了含有直位错晶体入射面上的X射线强度分布。
在平面或球面入射波的情况下绘制了波场的轨迹,并表明缺陷与X射线的相互作用在反射方向附近产生了新的传播方向。
还表明,当缺陷接近反射方向时,这种相互作用的重要性降低。
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J.应用。
克里斯特。
(2022).
55
,
112-121
https://doi.org/10.107/S1600576721012760
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基于X射线自由电子激光的暗场X射线显微术:基于模拟的研究
T.S.霍尔斯塔德
,
T.M.Rder公司
,
M.卡尔森
,
E.Bergbäck克努森
,
L.Dresselhaus-Marais公司
,
K.哈尔德鲁普
,
H.西蒙斯
,
M.M.尼尔森
和
H.F.鲍尔森
这项工作证明了利用X射线自由电子激光源和泵浦-探测方案,利用暗场X射线显微术在皮秒时间尺度上成像声子波包的可行性。
以Linac相干光源XCS仪器的规格为例,模拟显示了具有明显对比度和强度的应变波的传播。
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J.应用。
克里斯特。
(2024).
57
,
707-713
https://doi.org/10.107/S1600576724003030
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正常开放
接近
相控中子成像与波传播和
麦克斯塔斯
仿真
E.B.Naver公司
,
M.贝塔尔森
,
M.Ø斯特加德
,
D.巴塔利亚
,
P.威伦德鲁普
,
P.Trtik公司
,
S.施密特
,
H.比克达尔
和
L.T.库恩
本文讨论了相位控制效应,并比较了基于不同理论框架的两种仿真方法。
它证明了使用众所周知的模拟框架在实验数据中再现相位效应的能力
麦克斯塔斯
[Willendrup&Lefmann(2020)。
J.中子研究。
22
, 1–16].
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《水晶学报》。
(2006).
A类
62
,
233-236
https://doi.org/10.107/S0108767306011974
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基于Bloch-wave方法的扩展动态HAADF-STEM图像仿真
山崎T
,
渡边捷昭
,
K.Kuramochi先生
和
一、桥本
提出了一种获得大原子序数元素和厚样品HAADF STEM图像精确模拟的方法。
该方法利用两种类型的光学势来描述由多层表示的晶体的热扩散散射。
该方法对具有金刚石结构的元素(Si、Ge和α-Sn)和钙钛矿型BaTiO的有效性得到了证明
三
.
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J.同步辐射。
(2023).
30
,
739-745
https://doi.org/10.107/S1600577523003491
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正常开放
接近
拉伸载荷下Mg-Zn-Y合金位错活动的同步辐射分析
C.哈
,
Y.M.Kim先生
,
S.K.吴
,
E.马瓦德
,
D.莱齐格
和
S.Yi(易建联)
同步辐射X射线线轮廓分析的卷积多重全轮廓拟合方法允许实验测定不同Burgers矢量在高变形程度下的位错密度。
通过结合分析、电子背散射衍射研究和粘塑性自洽模拟,成功验证了其在Mg–Zn–Y合金拉伸变形过程中位错活动的可靠性。
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《水晶学报》。
(2018)。
A类
74
,
608-612
https://doi.org/10.107/S2053273318009877
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晶体超晶格表面附近的强X射线驻波场
I.R.普鲁德尼科夫
分析表明,晶体超晶格表面附近存在共振增强的X射线驻波场。
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J.应用。
克里斯特。
(2024).
57
,
358-368
https://doi.org/10.107/S1600576724001183
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正常开放
接近
暗场X射线显微术中位错对比度的模拟
S.Borgi公司
,
T.M.Rder公司
,
M.A.卡尔森
,
C.细节
,
G.Winther公司
和
H.F.鲍尔森
探测器图像的前向投影是使用两个互补的模拟工具分别基于几何光学和波前传播生成的。
根据不同的仪器设置、扫描模式、畴壁中的位错密度和空间分辨率,阐明了观察畴壁位错的可行性。
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(2021).
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77
,
509-518
https://doi.org/10.107/S205327332008792
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接近
用于弹性电子散射有效多层计算的磁矢量势和场的参数化
K.里昂
和
J.鲁兹
给出了根据原子密度泛函理论计算得到的参数化磁场的列表,该列表允许仅使用结构和磁矩大小和方向信息有效计算材料中的近似矢量磁场。
对体心立方Fe和FePt因磁性而引起的衍射图案强度变化的多层计算表明,这种方法能够很好地描述磁性在这类系统中的影响。
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J.应用。
克里斯特。
(2022).
55
,
544-550
https://doi.org/10.107/S1600576722004046
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用超高角分辨率同步辐射X射线形貌术定量分析4H-SiC晶片中的位错
H.彭
,
Z.Chen(陈)
,
刘彦(Y.Liu)
,
B.拉戈塔马查尔
,
X.黄
,
L.阿苏菲德
和
M.达德利
随着角分辨率的显著提高,摇摆曲线形貌显示出远离位错核的微小晶格取向错误。
位错图像的对比度可以使用射线追踪模拟计算
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