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三晶衍射研究能够清楚地分离Brags峰附近散射的各种实验成分。在这样一个实验中获得的二维强度分布包括在不同方向上延伸的各种分量(Δω,Δ2θS公司)空间,其中ΔωΔ2θS公司是样品和分析仪/检测器与布拉格条件的偏移角。一维“切片”扫描可以用于研究特定细节,只要已知组件的配置,无论是动态的、运动学的还是仪器布置的各个方面。本文介绍了用常规X射线管和同步辐射源对给定离子注入和其他硅晶体进行三晶衍射的结果,并进行了比较。

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离子注入诱导的应变曲线是针对A类B类用重离子注入的化合物和用轻离子注入的硅。基于这些轮廓,解释了一些衍射现象。

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先前的研究表明,X射线干涉法测量的硅晶格间距可能是指晶体表面。为了证实这一结果并支持对这一问题的实验研究,本文给出了一个三波长干涉仪的综合分析模型,该干涉仪具有一个弯曲的分裂和重组晶体。

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测量了100keV硅在掠入射角和出射角下的X射线衍射+-植入硅。与基于动力学和运动学散射理论的模型计算相比,获得了晶格畸变的深度分辨率信息。测定了非晶区和损伤晶区的厚度、损伤程度和非晶/晶界面的延伸,发现其与透射电子显微镜(TEM)测量结果非常一致。此外,还研究了不同温度下快速光学退火后的再结晶,获得了有关晶体结构改善、界面锐化和严重畸变表面层厚度减少的定量结果。

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以足够大的剂量对硅单晶进行离子注入可以在晶体表面下产生非晶层,这会引起有趣的X射线干涉现象。本文对这些进行了讨论,并表明摇摆曲线的分析无法给出由掩埋非晶层中的膨胀引起的晶体表面的刚性向外位移的明确值。

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注入B的硅(111)晶体近表面层的二维晶格畸变+利用三晶体同步辐射X射线衍射数据,绘制了通过周期性氧化物掩模图案的100KeV能量离子,在深度和横向上的空间分辨率分别为0.016和0.265微米。

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这个k个-计算了三个理想硅单晶布喇格衍射在非色散劳厄几何中排列时,三晶衍射仪的空间分辨率函数。将其与在80至150keV能量范围内使用同步辐射的测量结果进行了比较。在这种情况下,吸收很弱,根据动力学理论,厚的完美单晶衍射图样的宽度与波长成正比λ而它的洛伦兹尾巴与λ2.再加上布拉格角仅为2°的数量级,这导致了类星体的集中k个-空间分辨函数为平行于倒格子矢量的窄带G公司对于80keV同步辐射在硅111反射下的衍射,散射平面中强度分布的半最大宽度(FWHM)为1.1×10−5Å−1垂直于G公司和2.2×10−4Å−1平行于G公司单色器和分析晶体对分辨率函数贡献的观察差异由探测器计数链电子窗口的有限宽度和晶体的非布拉格散射贡献解释。如果将镶嵌度为~3〃的退火直拉法生长硅单晶用作单色器和分析仪,分辨率会降低一个数量级,但对于不完美样品或漫散射的研究,可以通过这种方法获得较大的强度增益。

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采用一套互补的方法(高分辨率X射线反射率、高分辨率X光衍射、透射电子显微镜和原子力显微镜)研究了高剂量低能氦(2keV)辐照后表面硅层的结构变化+等离子体浸没离子注入和随后的热退火。这种组合被证明是一种对纳米He进行完整结构诊断的强大工具+离子注入硅层,特别是在超低能注入区。

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利用由两个独立晶体形成的三重劳厄干涉仪观测中子干涉,为具有扩展臂间距和长度的偏对称干涉仪的构造和操作开辟了道路。这里研究了它们成功运行所需的规范。与以往的研究相比,本文同时考虑了非相干光源和干涉仪的三维操作。

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利用高分辨率X射线衍射和广义模拟退火算法测定了离子注入单晶中的应变分布。

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