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《水晶学报》。
(1997).
A类
53
,
366-375
https://doi.org/10.107/S010876739700278X
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III-V半导体中的非中心对称效应和极性测定
K.马丁森
,
T.林德海姆
和
R.希尔
III-V中的非中心对称效应和极性测定
讨论了使用CBED的半导体。
结果表明，在精心选择的衍射条件下，GaAs和InP中都可能观察到强烈的非中心对称效应。
利用布洛赫波理论和动态多光束计算讨论了这些效应及其解释。
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J.应用。
克里斯特。
(1982).
15
,
60-64
https://doi.org/10.107/S0021889882011352
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用电子衍射法测定结构因子相关系和晶体极性的一种简单方法
J.塔夫脱
和
J.C.H.斯彭斯
弱束之间的多电子散射已被用作确定一些非中心对称晶体的绝对极性的简单方法的基础。
对于具有闪锌矿结构的晶体，发现了许多取向，其中偏离中心对称的微小偏差对会聚束衍射图样（微衍射）产生较大影响。
这些影响与厚度无关，因此可以在不使用计算机的情况下进行定性分析。
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