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在光子工厂同步加速器澳大利亚国家光束线装置上,用高分辨率三晶衍射仪研究了具有横向周期超结构的离子注入Si(111)样品。通过对数据的详细分析,可以得到垂直于样品表面的晶格畸变的横向位置和深度图。

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成像板已用于Weissenberg平面-同心几何中,以快速收集InGaN/GaN/AlN多层膜的互反空间图。用成像板获得的图谱与三轴衍射结果进行了比较。

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展示了一种新颖的高分辨率X射线衍射(XRD)技术,该技术可对未经处理的样品进行完全无损、高质量的XRD分析。该方法在文化遗产文物特征描述方面显示出巨大潜力。

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第页-和n个-用高分辨率X射线衍射对含有一维周期性埋藏空沟道阵列的硅样品进行了表征。表面硅层和含有通道的层的晶体质量在第页-比中的n个-型样品,前者在通道垂直于散射平面时显示夫琅和费衍射。

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为了在欧洲同步辐射设施的高分辨率粉末衍射光束线ID31上安全测量放射性粉末,开发了一种样品制备技术。

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通过对互反空间中横向和纵向扫描的分析,这两种扫描均穿过选定的互反晶格点,空通道的形状、大小和横向间隙以一维周期阵列的形式分布在无硅结构表面以下,由于测量所采用的高分辨率光学技术,我们得以确定。

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