差分沉积法和离线计量法校正X射线镜面形状

C.莫拉韦,美国工党,J.-C.佩芬,F.佩林,A.维梧资本和R.巴雷特

采用差分沉积法对X射线反射镜的表面形貌进行了校正，并采用离线计量法进行了测量。

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薄WSi差分沉积获得的具有亚纳米图形误差的X射线反射镜₂电影

P.运动内衣,C.莫拉韦,美国工党,F.佩林,A.维梧资本和R.巴雷特

X射线反射镜的表面形状已通过WSi的差异沉积进行了校正₂电影。

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同步辐射应用的分级X射线光学

A.埃尔科,M.维尔德坎普,W.古达特,N.V.Abrosimov公司,S.N.罗索连科,V.谢赫特曼,S.哈萨诺夫,V.亚历克斯,S.Groth公司,W.施罗德,B.维达尔和A.亚克欣

利用X射线衍射仪和光谱测量，研究了梯度X射线光学元件的结构和性能。报道了用磁控溅射技术通过精确厚度控制制备X射线超镜的实验和理论数据。分级非周期硅的测量_1-xGe公司_x还介绍了用提拉法生长的单晶。这种晶体的晶格参数随锗浓度的增加几乎呈线性变化。测量表明Si_1-xGe公司_x浓度高达7 at.%的晶体锗的质量可以与纯硅晶体媲美。

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溅射钽的表面形貌₂O（运行）₅硅衬底上固定角度X射线反射率的薄膜

H.Y.Lee先生,T.-W.黄,C.-H.Lee和谢永伟

钽表面形貌的时间变化₂O（运行）₅在射频磁控溅射过程中，使用X射线反射率以固定角度测量了硅衬底上的薄膜₂O（运行）₅表面粗糙度的变化揭示了岛形核和岛状聚并的形态。

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用于X射线反射镜二维表征的Shack-Hartmann测量头

J.弗洛里奥特,十、勒沃克,S.Bucourt公司,M.托马斯特,F.波拉克,M.伊迪尔,P.Mercère公司,T.莫雷诺和S.Brochet公司

提出了一种用于X射线反射镜二维表征的缝合式Shack-Hartmann测量头。建立了其亚微弧性能，并给出了环形X射线反射镜的实验结果。

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射频磁控溅射沉积过程中的时间分辨掠入射对分布函数

M.罗尔斯加德,交流双刀,K.A.Borup公司,I.G.尼尔森,N.L.N.布罗日,J.T.Röh,O.古托夫斯基和B.B.伊弗森

在射频磁控溅射薄膜沉积过程中，获得了可靠的高能掠入射X射线散射数据。现场实现了对分布函数分析，从而可以研究沉积过程。

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模块化沉积室就地射频和直流磁控溅射过程中的X射线实验

B.克劳斯,S.达尔马,M.考夫霍尔兹,H.-H.Gräfe公司,S.乌尔里奇,曼蒂拉先生,R.魏格尔,S.雷姆博尔德和T.Baumbach公司

一种新型溅射系统的描述就地给出了直流和射频磁控溅射过程中的X射线实验。介绍了碳化钒的首次实验结果。

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X射线波导阵列近场分布的重建

Q.Zhong先生,L.梅尔基奥,J.彭,Q.黄,Z.Wang（王）和T.Salditt公司

通过从测量的远场衍射图样重建近场，可以通过实验验证多波波导干涉。这使得可以直接可视化近场干涉图案和通过多波导设计可以创建的场的多样性，特别是次级准焦斑。使用设计参数的数值传播与相位恢复结果进行了比较。

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现场非反应溅射沉积镧和反应溅射淀积氮化镧过程中结构形成的实时监测

B.克劳斯,D.S.库兹涅佐夫,A.E.亚克欣,S.易卜拉欣库蒂,T.Baumbach公司和F.Bijkerk先生

对La和LaN薄膜沉积过程中的晶相、织构形成和由此产生的表面粗糙度进行了实时同步辐射研究。对于LaN，发现了理论预测的亚稳纤锌矿和闪锌矿结构，而La假设了预期的NaCl结构。

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波长为18.5nm的Mo/Al多层膜的制备

H.尼伊,M.尼贝,H.基诺西塔和Y.苏吉

本文报道了波长为18.5nm的Mo/Al和Mo/Si多层膜的制备和评价。Mo/Al多层膜在10°入射角下的计算反射率比Mo/Si多层膜高约7%。使用射频磁控溅射沉积系统制备了多层膜。Mo/Al多层膜的反射率测量值为33.5%。反射率降低的原因可能是表面和界面粗糙度。在原子力显微镜的表面观察中，Mo/Al多层膜的表面粗糙度主要由Al层控制。因此，优化了制备铝膜的条件。

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