硅中（00211311-1）四光束衍射的高分辨率研究

V.G.科恩和A.卡齐米洛夫

对硅中的（00211311-1）四束衍射进行了高分辨率的实验和理论研究。理论和实验达到了很好的一致性。被禁止的双光束002反射被激发，最大反射率为80%。

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禁止Si 200和Si 222反射的高分辨率表征

P.Zaumseil先生

详细研究了基禁Si200和Si222反射作为所用衍射仪的平面内样品取向Φ和垂直于衍射平面的发散度的函数。结果对检测这些反射附近的层峰值具有重要影响。

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X射线多重衍射的断面形貌研究

V.G.科恩和I.A.斯米尔诺娃

本文描述了硅单晶400衍射的两种不同的X射线多重衍射截面形貌的理论和实验研究。首次对X射线多重衍射情况下的截面拓扑图进行了精确的计算机模拟。实验是在方位角低分辨率条件下使用实验室光源进行的。

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异质结构和多层体系的X射线多重衍射结构诊断

M.博尔查,一、Fodchuk,M.Solodkyi先生和M.拜达科娃

证明了多束X射线衍射用于测定异质结构和多层体系中的晶格应变的可能性。

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边界晶体上的多波散射。平移对称性破坏和禁止反射

P.配音和O.利兹曼

用埃瓦尔德自洽场方法处理了标量波与单晶硅的相互作用。导出了适用于共面和非共面情况的布拉格几何中允许反射和禁止反射的反射率。结果表明，存在一个很窄的禁带反射反射率峰。

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HETU：中国绵阳研究堆新型高分辨率应力和织构中子衍射仪

B.王,S.钟,H.林,A.古卡斯索夫,Z.杨,J.李和G.-太阳

提出了一种新的高分辨率应力和织构中子衍射仪，它利用长波中子评估残余应力并分析织构。

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禁止反射的相位

B.岗位和J.拉德尔

实验测定了由一个禁止反射和两个允许反射组成的大量锗三重态的不变相位。禁止反射包括形式{200}、{222}、}420}和{442}的成员。检测到含有超弱（禁止）{622}和{640}成员的三元组中的相位效应，但太弱，无法提供可靠的相位指示。包括禁止反射和 ${\bar 3}{\bar 1}{\bar1}$ 观察到反射为负值。单个禁止反射的相位，其指数被描述为总和（4n个-2），等于（-1）^n个原子形状因子色散校正的虚部相对较大（铜为0.89Kα₁辐射）：它对结构因子和消失的弱禁止反射的相位有重要贡献。

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无硅高分辨X射线衍射

M.Servidori先生和G.奥塔维亚尼

第页-和n个-通过高分辨率X射线衍射对含有一维周期性掩埋空通道阵列的型硅样品进行了表征。表面硅层和含有通道的层的晶体质量在第页-比中的n个-型样品，前者在通道垂直于散射平面时显示夫琅和费衍射。

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半导体晶体完整性评价中的X射线多重衍射现象

S.L.Morelhão公司和L.P.卡多佐

本文描述了X射线多重衍射在表征晶体完整性方面的应用。描述了初级和次级消光对三光束衍射情况的影响。

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高分辨率应力和织构中子衍射仪HETU的设计和性能

B.王,S.Zhong先生,H.林,J.李,Z.杨,A.古卡斯索夫,H.张和G.-太阳

HETU中子衍射仪已经开发出来，可以使用双聚焦完美单晶硅单色仪或高定向热解石墨单色仪实现高仪器分辨率测量模式或高中子通量模式，用于研究工程材料和部件的残余应力和纹理。

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