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J.同步辐射。
(2002).
9
,
174-178年
https://doi.org/10.107/S0909049502004284
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电子材料的同步辐射X射线形貌
托奥米（T.Tuomi）
介绍了电子材料的形貌研究，涵盖了几乎完美的浮区和直拉硅中的空洞和沉淀物、用液封直拉硅技术生长的砷化镓中的位错、蒸汽压力控制直拉硅工艺和垂直颗粒冻结技术，
碳化硅中的层错和微管到外延异质结构中的错配位错。
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J.应用。
克里斯特。
(2022).
55
,
544-550
https://doi.org/10.107/S1600576722004046
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用超高角分辨率同步加速器X射线形貌定量分析4H-SiC晶片中的位错
H.彭
,
Z.Chen（陈）
,
刘彦（Y.Liu）
,
B.拉戈塔马查尔
,
X.黄
,
L.阿苏菲德
和
M.达德利
随着角分辨率的显著提高，摇摆曲线形貌显示出远离位错核的微小晶格取向错误。
位错图像的对比度可以使用射线追踪模拟计算
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克里斯特。
(2006).
39
,
106-108
https://doi.org/10.107/S0021889805038719
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用同步辐射X射线形貌术分析测定位错的三维分布
J.M.易
,
Y.S.Chu（朱棣文）
,
T.S.Argunova公司
和
杰·H·杰
使用对称反射的技术
通过
用样品的方位旋转来定量测定单晶中位错的取向和位置。
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J.应用。
克里斯特。
(1988).
21
,
991-992
https://doi.org/10.107/S0021889888008696
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用于同步辐射X射线地形快照的简易遥控胶片夹
P.帕洛
,
P.巴斯蒂
,
A.德拉佩里
,
J.巴鲁切尔
和
M.施伦克
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《水晶学报》。
(2002).
A类
58
,
c171号
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用同步辐射对粘结硅-绝缘体晶片的X射线形貌观察
K.福田
,
吉田（T.Yoshida）
,
T.Shimura公司
,
M.乌梅诺
和
饭田圣子
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(2008).
41
,
818-821
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错误取向晶体Berg-Barrett形貌的快速简便Bragg反射搜索
B.安德烈亚斯
,
尤·库特根斯
和
P.贝克尔
提出了一种快速搜索Berg-Barrett形貌中取向错误晶体布拉格反射的方法。
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(2014).
47
,
1958-1965
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多晶硅中的大角度和小角度晶界及其对晶体生长过程中晶界演变的影响
E.-R.卡尔
,
A.丹尼尔斯基
,
E.迈斯纳
和
T.盖革
基于电子背散射衍射和同步辐射X射线衍射以及光学显微镜和蚀坑形貌的比较，研究了多晶硅中大角度和小角度晶界的演变。
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克里斯特。
(2007).
40
,
1146-1152
https://doi.org/10.107/S0021889807043580
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氮在加固金刚石结构中的作用
S.G.奈勒
,
M.摩尔
,
J.查普曼
和
G.科瓦尔斯基
通过同步辐射X射线衍射和光学研究的结合，可以得出结论：在生长过程中，天然金刚石中掺入氮气可以增强结构抵抗塑性变形。
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克里斯特。
(1983).
16
,
646-648
https://doi.org/10.107/S0021889883011231
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应用
就地
同步加速器X射线形貌对固相转变的研究：纯钛中转变的晶体学
C.Jourdan公司
和
J.加斯塔尔迪
配有高温摄像头，专为
就地
同步辐射X射线形貌术
α
→
β
研究了钛中的转变。
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克里斯特。
(2005).
38
,
442-447
https://doi.org/10.107/S0021889805005819
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碳化硅单层膜X射线形貌中螺纹位错图像的模拟
W.M.Vetter（维特）
,
H.筑田
,
I.卡马塔
和
M.达德利
计算机模拟了沉积在切边SiC衬底上的SiC外延层中出现的螺纹边缘、轴向螺旋和基面位错的X射线形貌图，并与实验形貌图进行了比较。
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