锗酸铅单晶的高精度旋光研究

用高精度旋光技术研究了锗酸铅铁电单晶在垂直于光轴方向上的电光和旋光参数。

利用σ–π偏振几何的劳厄衍射对单晶弯曲的DuMond分析

提出了σ–π偏振几何和组合布拉格–劳厄衍射的三维杜蒙德公式，并用于量化单晶分析仪的弯曲。

电场诱导的KTa应变大幅增加（118%）_1−x个编号_x个O（运行）_三通过锰掺杂实现。锰掺杂增强的局部异质性和改进的结构特征被证明是提高压电性的原因。锰掺杂对KTa局部结构和性能的影响_1−x个编号_x个O（运行）_三揭示了晶体结构，为材料设计和性能优化提供了依据。

采用慢蒸发技术生长了具有孪晶结构的二异丙基溴化铵单晶。通过Hirshfeld表面、铁电和光致发光分析研究了它们的性能。

采用溶液法生长了厘米大小（最大尺寸为2.1×0.9×0.4cm）的高质量左旋葡聚糖单晶，为实验测量该材料的玻璃化转变机制奠定了必要的基础。

偏振分辨二次谐波显微镜被应用于蛋白质晶体样品中多个晶体结构域的识别。

描述了一种易于使用的实验装置，用于生长两种甜味剂（赤藓糖醇和木糖醇）的大单晶。这些化合物的结晶说明了蒸发结晶的原理。晶体生长实验辅以简单的量热装置，通过测量溶解热，以更定量的方法证明所选甜味剂溶解的吸热性质。

理论上预测铁电铋中存在11种允许的畴壁类型₄钛_三O（运行）₁₂根据群论分析。其中，在铋中只观察到五种类型的铁电畴壁₄钛_三O（运行）₁₂用透射电子显微镜观察单晶。

ZnGeP中低角度边界的结构₂利用X射线形貌中的波曼效应研究了垂直布里奇曼技术生长的晶体。揭示了两种类型的边界，每种边界都包含不同的位错滑移系统。

搜索IUCr日志		国防部		高级搜索
作者		体积	第页