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克里斯特。
(2016).
49
,
539-543
https://doi.org/10.107/S1600576716001126
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非线性光学晶体K的热物理性质
三
B类
6
O(运行)
10
英国
M.J.夏
,
B.徐
,
刘立杰(L.J.Liu)
,
X.Y.王
,
R.K.李
和
C.T.陈
K的热物理性质
三
B类
6
O(运行)
10
系统地研究了沿主方向的Br晶体。
这些特性对其在高平均功率激光输出中的实际应用具有重要意义。
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克里斯特。
(2018).
51
,
357-360
https://doi.org/10.107/S1600576718001218
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新型紫外非线性光学晶体NaSr的热物理性质
三
Be公司
三
B类
三
O(运行)
9
F类
4
Z.方
,
L·刘
,
X.王
和
C.陈
与其他主要的紫外非线性光学晶体相比,特别是在266nm区域,NaSr的热物理性质
三
Be公司
三
B类
三
O(运行)
9
F类
4
具有相当的竞争力,表明晶体生长潜力良好,具有高功率266nm激光产生能力。
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克里斯特。
(2011).
44
,
93-101
https://doi.org/10.107/S0021889810042391
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掺杂非线性光学晶体微小结构变化的X射线相位测量
圣·L·莫雷略
,
雷梅迪奥斯
,
R.O.弗雷塔斯
和
A.O.多斯桑托斯
研究了掺杂非线性光学晶体内应力引起的原子坐标的微小变化。
测量不变的三重相位
通过
X射线多重衍射实验。
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克里斯特。
(1995).
28
,
294-301
https://doi.org/10.107/S002188989401112X
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硼酸锂非线性光学晶体的生长缺陷和结构研究
Q.L.赵
,
Y.S.黄
,
D.Y.Tang(邓丽君)
,
A.D.江
,
W.Z.Zhong先生
和
S.K.Hua公司
用X射线形貌术研究了生长位错和条纹、夹杂物、夹杂物诱导位错和孪晶生长,并根据硼酸锂晶体的开放结构和结构特征进行了讨论。
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克里斯特。
(1995).
28
,
267-273
https://doi.org/10.107/S0021889894011027
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β-BaB非线性光学晶体的缺陷和结构研究
2
O(运行)
4
Q.L.赵
普通螺旋夹杂诱导位错和位错环及其迁移率、电畴、生长边界
等
β-BaB晶体中
2
O(运行)
4
已通过X射线地形图进行了研究。
从β相到α相的微相转变或
反之亦然
.
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《水晶学报》。
(2023).
一
79
,
a49型
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如何识别产生太赫兹的非线性光学晶体
S.H.Ho先生
,
巴尔迪维娅·贝罗埃塔
,
Z.B.扎卡迪
,
S.K.F.佩蒂特
,
B.W.帕尔默
,
M.J.卢茨
,
C.雷达
,
B.P亨特
,
N.K.绿色
,
C.巴洛
,
C.Z.还款
,
D.J.哈蒙
,
P.彼得森
,
S.J.史密斯
,
D.J.迈克利斯
和
J.A.约翰逊
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克里斯特。
(2012).
45
,
1182-1186
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Nd:La整体热性能的实验分析
2
驾驶室
10
O(运行)
19
晶体
J.张
,
吴彦祖(Y.Wu)
,
G.张
,
Y.Li(李彦宏)
和
吴彦祖(Y.Wu)
钕的热物理性质
3+
-掺杂La
2
驾驶室
10
O(运行)
19
晶体沿着
一
,
b条
,
c(c)
,
c(c)
*,
一
*<110>和<110>*结晶方向。
计算了晶体上一系列观察面的Jackson因子,表明晶体从溶液中生长时,液-固界面是一个光滑的表面。
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克里斯特。
(2006).
39
,
784-790
https://doi.org/10.107/S0021889806033139
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高分辨率XRD和SEM研究有机掺杂对ZTS、ADP和KHP晶体完整性的增强作用
G.巴加瓦纳拉亚纳
,
S.Parthiban公司
和
S.Meenakshisundaram公司
通过采用高分辨率X射线衍射,已经清楚地证明了在不同的非线性光学晶体中由于合适的有机掺杂剂而增强了晶体的完美性。
这些研究还表明,通过杂质与掺杂剂的络合形成的吸附性较小的表面层,从而阻止杂质进入大块晶格。
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J.同步辐射。
(1998).
5
,
1082-1084
https://doi.org/10.107/S090904959701724X
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BSRF的白辐射动态地形实验系统
G.L.王
,
J.H.江
,
田永乐(Y.L.Tian)
,
韩毅(Y.Han)
和
Z.G.Wang先生
白辐射动态地形实验系统已在北京同步辐射装置(BSRF)建立并投入运行。
本文介绍了该系统的各个部分,重点介绍了基于PC的在线控制系统、X射线视频成像系统和图像处理系统。
此外,一些实验结果,例如KNbO的相变
三
简要介绍了非线性光学晶体和蓝青铜电荷密度波材料。
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(2015).
48
,
1228-1233
https://doi.org/10.1107/S16057615012571
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ZnGeP中边缘位错的X射线形貌对比
2
单晶
A.O.Okunev先生
和
G.A.Verozubova公司
研究了基于Borrmann效应的X射线形貌术中在边缘位错位置观察到的对比花环。
利用对比度方程的修正来考虑边缘位错周围的局部晶格变形,构造了这种花环的模拟图像。
它们与实验获得的ZnGeP中边缘位错的图像显示出很好的一致性
2
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