利用从头计算和宏动力学模拟，我们研究了层状半导体过渡金属二糖原MoX2（X=S，Se，Te）在高压下的行为，重点是结构转变和金属化[1,2]。我们发现在结构方面，MoS2的行为与MoSe2和MoTe2的行为不同。在MoS2中，压力在20 GPa时引发结构转变，其中发生层滑动，将初始2Hc堆叠转变为2Ha堆叠，例如2H-NbSe2。这一发现自然地解释了先前的X射线衍射和拉曼光谱数据，最近新的X射线绕射实验也证实了这一点[3]。另一方面，MoSe2和MoTe2中不会发生这种转变，而初始2Hc堆叠保持稳定。除结构变化外，MoS2中的压力还通过带重叠和间接带隙的闭合引起半导体-半金属转变。这种电子跃迁发生在发生结构跃迁的同一区域，2Hc相为25GPa，2Ha相为20GPa。在MoSe2和MoTe2的情况下，预计会分别在28 GPa和13 GPa发生导致半金属的非常相似的电子跃迁。金属化后，所有三种材料在费米能级上都表现出较低的态密度，这意味着超导温度较低（如果有的话）。由于金属化区域没有结构转变，MoSe2和MoTe2可能是观测激子绝缘体相位的合适候选材料。
