多层样品荧光扩展X射线吸收精细结构自吸收效应的校正方法

W.-B.李,X.-Y.杨,朱振堂（J.-T.Zhu）,Y.-C.Tu先生,B.-Z.Mu先生,H.-S.余,X.-J.魏,Y.-Y.黄和Z.-S.王

提出了一种新的方法来校正单层或多层样品在荧光模式下测量的扩展X射线吸收精细结构的自吸收效应。通过在不同实验几何形状下测量的Cr/C多层膜的校正光谱，验证了该方法的有效性。

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ESRF通用EXAFS波束线上的快速EXAFS实现

C.普雷斯蒂皮诺,O.马顿,R.日野,A.贝蒂娃和S.Pascarelli公司

介绍了欧洲同步辐射设施通用EXAFS束线BM29上QEXAFS捕获的新实现。

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薄膜中NiAl的EXAFS研究

一、电弧,墨西哥人,A.科德,J.贾吉尔斯基和A.导线测量

通过溅射沉积在基底上的多层结构的热混合或离子束混合，可以制备具有重要技术意义的过渡金属铝化物涂层。通过深度剖析定量检测成分足以确定混合方法的效率。然而，为了决定是形成纳米颗粒混合物还是化学计量合金，需要对薄膜中的局部原子邻域进行EXAFS分析。在不同衬底温度下离子混合后，在Si（111）表面的一系列Ni/Al多层样品上测量了Ni K边缘EXAFS光谱。光谱表明，随着温度的升高，镍铝化物相逐渐取代镍fcc金属相。

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EXAFS分析中的Muffin-tin电位

B.拉威尔

Muffin-tin势用于检查散射几何体对EXAFS数据的贡献，这些散射几何体未在用于计算这些势的原子簇中表示。

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EXAFS中的振幅降低

罗伊先生和S.J.古尔曼

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纳米级氧化物的EXAFS和XANES分析

A.库兹明和J.查博伊

本文讨论了X射线吸收光谱（XAS）研究纳米材料局部结构的可能性。以NiO纳米粒子为例，描述并举例说明了扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）解释的最新技术，包括基于经典分子动力学的先进方法。此外，结合ZnO基稀磁半导体和氧化铁纳米粒子的发展，还讨论了X射线吸收近边光谱（XANES）在确定与材料纳米晶性质相关的几种效应方面的局限性和可能性。

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自我维持电位对EXAFS分析的影响

B.拉威尔,M.纽维尔,J.J.卡斯和J.J.雷尔

在散射势计算中使用自我一致性对EXAFS分析影响不大。

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表面EXAFS通过微分电子产额

N.伊索穆拉,T.穆赖,T.野本和Y.Kimoto先生

扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）光谱的表面敏感性通过使用厚度定义的SiO证明了差异电子产额₂ （12.4 nm）/Si样品。硅K（K）-边缘EXAFS光谱表明分析深度约为4.2nm，导出的第一近邻（Si-O）距离为1.63μ，在SiO的报告值范围内₂.

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EXAFS数据解释

S.J.古尔曼

本文概述了应用于X射线吸收光谱的X射线吸收理论，重点介绍了EXAFS，说明了结构参数是如何包含在理论中的。还包括散射问题和非弹性效应的完整描述，并描述了如何从实验数据中提取结构信息。重点是曲线设置方法，包括允许包含外部约束的技术。

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差分EXAFS分析使用DEXA公司

M.P.Ruffoni先生

微分EXAFS是一种新的XAS技术，专门用于直接测量由磁致伸缩、压电和热膨胀等应变诱导现象引起的微小原子位移。这些新的实验表明需要新的分析工具来提取和量化测量的原子应变，这一需求已通过开发DEXA公司代码。

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