ESRF通用EXAFS波束线上的快速EXAFS实现

C.普雷斯蒂皮诺,O.马顿,R.希诺,A.贝特瓦和S.Pascarelli公司

介绍了欧洲同步辐射设施通用EXAFS束线BM29上QEXAFS捕获的新实现。

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EXAFS分析中的Muffin-tin电位

B.拉威尔

Muffin-tin势用于检查散射几何体对EXAFS数据的贡献，这些散射几何体未在用于计算这些势的原子簇中表示。

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EXAFS中的振幅降低

罗伊先生和S.J.古尔曼

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纳米级氧化物的EXAFS和XANES分析

A.库兹明和J.查博伊

这项工作讨论了X射线吸收光谱（XAS）研究纳米材料局部结构的可能性。以NiO纳米粒子为例，描述并举例说明了扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）解释的最新技术，包括基于经典分子动力学的先进方法。此外，结合ZnO基稀磁半导体和氧化铁纳米粒子的发展，还讨论了X射线吸收近边光谱（XANES）在确定与材料纳米晶性质相关的几种效应方面的局限性和可能性。

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自我维持电位对EXAFS分析的影响

B.拉威尔,M.纽维尔,J.J.卡斯和J.J.雷尔

在散射势计算中使用自我一致性对EXAFS分析影响不大。

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表面EXAFS通过微分电子产额

异木村猪笼草,T.穆赖,T.野本和Y.Kimoto先生

扩展X射线吸收精细结构（EXAFS）光谱的表面敏感性通过使用厚度定义的SiO证明了差异电子产额₂ （12.4nm）/Si样品。Si公司K（K）-边缘EXAFS光谱表明分析深度约为4.2nm，导出的第一近邻（Si-O）距离为1.63μ，在SiO的报告值范围内₂.

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EXAFS数据解释

S.J.古尔曼

概述了应用于X射线吸收光谱的X射线吸收理论，重点介绍了EXAFS，显示了结构参数是如何包含在理论中的。还包括散射问题和非弹性效应的完整描述，以及如何从实验数据中提取结构信息的描述。重点是曲线设置方法，包括允许包含外部约束的技术。

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差分EXAFS分析使用DEXA公司

M.P.Ruffoni先生

微分EXAFS是一种新的XAS技术，专门用于直接测量由磁致伸缩、压电和热膨胀等应变诱导现象引起的微小原子位移。这些新的实验表明需要新的分析工具来提取和量化测量的原子应变，这一需求已通过开发DEXA公司代码。

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关于EXAFS Debye-Waller因子及其最新进展

P.福纳西尼和R.格里森蒂

基于最近的EXAFS实验结果，对平行和垂直均方相对位移（MSRD）的性质进行了更新讨论。平行MSRD的准手征分析允许评估键Grüneisen参数。

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