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IV、III-V和II-VI族半导体的德拜-沃勒因子计算公式如下从头算力常数和拟合温度范围为0.1至1000 K。

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纤锌矿型半导体的德拜-沃勒因子计算公式如下从头算力常数和拟合温度范围为0.1至1000 K。

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均方位移在谐波近似下由从头算闪锌矿晶体结构的含B、Tl和Bi的III-V二元化合物在0至1000K温度范围内的力常数。采用基于爱因斯坦模型的特征频率与温度相关的拟合方案来描述均方位移的温度相关性。给出了相应的拟合参数、声子色散关系和态密度。

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采用一种有效的定量CBED方法,获得了钴中钴和钛原子的德拜-沃勒因子Ti.结果如下B类有限公司=0.20-0.24和B类= 0.41-0.43 Å2在室温下。

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本文描述了一种方法,该方法允许估计分子的内模对单个原子的德拜-沃勒因子的贡献。获得的贡献是具有相同质量的分子中所有原子的各向同性均方振幅的平均值。为了评估贡献,只需要知道由红外和拉曼数据确定的分子内模的频率,而不需要知道力常数。此外,还导出了一个粗略的公式,该公式允许人们仅根据分子中原子的数量和各个原子的质量来估计内模对给定原子振动的贡献。给出了苯、萘和蒽结构的数值结果。

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对68个元素晶体和17个闪锌矿结构化合物的德拜-沃勒因子的温度依赖性进行了参数化。

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尿素分子内模的贡献4N个2O、 计算了0、100和300 K时原子的振动张量。计算基于文献中的红外和拉曼数据,确定的力常数为Urey-Bradley型。内模振动张量(对角线分量)的温度依赖性在0-300K区域用图形表示(九个计算点的插值);在这个地区,它很弱。由于尿素有可用的振动张量,这些振动张量是由中子衍射确定的,因此可以估计内模的贡献。平均而言,C、N、O原子在300K时为1.8%,在98K时为4.4%,在60K时为5.8%;在H原子上,在300K下平均为22.6%,在98K下平均为39.9%,在60K下平均为46.3%。

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温度相关的Debye WallerB类得到了五种具有氯化铯结构的化合物的影响因素。

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将卤化铷的Debye-Waller因子的实验值与四个晶格动力学模型的值进行了比较。将根据实验德拜-沃勒因子计算出的德拜温度与比热计算出的温度进行了比较。

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