利用多个小角中子散射表征了多孔二氧化硅的微观结构随热处理的变化。这项新技术提供了0.08–10μm范围内微观结构形态的统计显著测定,这在以前不增加当前可用散射光谱束线的分辨率的情况下是无法实现的。在本研究中,所有散射体都是陶瓷体内的孔隙,无论它们是开放的还是闭合的,都要进行测量。早期对微孔二氧化硅系统进行的汞孔隙度测定和氮脱附测量表明,该材料中有两个主要的孔隙群,孔隙大小相差约一个数量级。在这项工作中,发现在烧结的中间阶段,致密化伴随着微孔二氧化硅中大孔群内的粗化,粗化半径大于0.22μm。在烧结后期,不存在半径大于0.08μm的可检测孔隙,并测量了等于33和28 nm的回转半径。最后,进行了蒙特卡罗模拟,以补充中子散射测量,预测对双峰分布结果的影响,并探讨多重散射方法的灵敏度。