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自组装过程表明，在非晶态氧化铝基体中形成规则有序Ge量子点的各向异性晶格。所制备的材料显示出强烈的电输运各向异性。

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通过应变场数值模拟和X射线衍射（XRD）倒易空间图研究了InGaN/GaN中的V坑缺陷。将结果与XRD和扫描电子显微镜（SEM）实验数据进行了比较。V形凹坑的产生似乎是InGaN/GaN外延层中应变弛豫的充分机制。

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P.Zháňal先生,P.哈库巴,哈耶克先生,J.斯特拉斯克,J.milauerová,J.韦塞尔,L.Horák先生,M.简切克和V.霍尔

同步辐射X射线衍射可以测定亚稳态钛合金（Ti–15Mo）单晶在线性加热过程中的微观结构演变。将结果与电阻演变进行了比较。加热速度为5 K min时Ti–15Mo加热过程中ω相的溶解⁻¹通过ω→β变换而不是ω→α发生。

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非晶态氧化铝基体中Ge量子点三维各向异性晶格的生长

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