III-V半导体与硅的单片集成是将化合物半导体的优异光电性能与成熟的硅技术相结合的理想方法。这种集成可以通过在Si衬底上以汽-液-固（VLS）或汽-固（VS）模式生长无位错的III-V NW来实现，这两种模式分别与NW尖端上是否存在III组液滴有关[1]。在这项工作中，我们研究了生长在Si（111）上的InAs纳米线的生长模式和形成多型性之间的相关性。生长是在Spring8[2]的束线11XU的分子束外延室中进行的，同时通过原位x射线衍射探测结构动力学。具体而言，在NW生长期间监测了纤锌矿（WZ）和闪锌矿（ZB）多型形成的时间演化。尽管存在富As生长条件，但在成核阶段仍发现了硅上液态In的自发堆积，其中InAs核主要生长在WZ相，层错数量较少。在形核后不久，液态In被过量的As消耗，生长继续以VS模式进行，NW晶体中形成的层错密度增加。液态铟信号的时间演化（图（a））与软锰矿生长速率的时间演化密切相关（图（b））。后者在液态铟消失时饱和，即VLS转变为VS模式，而闪锌矿多型在VLS和VS生长模式下几乎连续增长。通过测量不同长度InAs纳米线样品上叠加断层引起纤锌矿反射峰宽增加的现场X射线衍射，定量测定了层错密度的动力学；即生长时间[3]。
