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J.同步辐射。
(2018).
25
,
1123-1128
https://doi.org/10.107/S1600577518005799
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增强的Ir-vacant-Sr绝缘性能
2
爱尔兰
1–
x个
O(运行)
4
局部结构畸变主导的系统
J.Cheng(成)
,
P.Dong先生
,
B.李
,
S.刘
,
X.王
,
Y.Wang(王)
和
十、李
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