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J.应用。
克里斯特。
(2021).
54
,
62-71
https://doi.org/10.1107/S1605767620014764
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用SEM、XRD和数值模拟研究了InGaN/GaN外延层中V坑缺陷的应变弛豫
J.StránskáMatějová
,
L.Horák先生
,
P.Minárik先生
,
V.霍尔
,
E.Grzanka公司
,
J.多马加
和
M.莱斯钦斯基
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