使用与先前工作类似的模型和处理方法,计算出了具有不同数量层旋转位移的圆柱形弯曲微晶聚集物衍射强度的一般表达式[Ray,De&Bhattacherjee(1978),Acta Cryst.A34,637-638]。对几种层移情况的数值计算表明,随着角位移单位的减小,衍射峰的高度降低,而峰位置略有变化。在连续的两篇出版物(Ray,De和Bhattacherjee,1978;De,Ray和Bhattacherjee,1979)中,作者根据Mitra和Bhattacherjee(1971)采用的模型和处理方法,导出了无序弯曲微晶X射线衍射强度的表达式。其中一种紊乱的特征是同轴圆柱层的位移。假设一个层的位移发生在平行于其自身的位置,并围绕公共轴相对于其相邻层旋转约0/2和约0/3的角距离,类似于Wilson(1962)所讨论的平面晶格层中的b/2和b/3位移。威尔逊对弯曲微晶情况的处理方法可以得到推广,并且可以很容易地计算出上述情况的强度表达式。然而,为了讨论随着位移的逐渐变化对衍射强度的影响,有必要推导出具有层移的无序弯曲微晶衍射强度的一般表达式。本计算基于无序弯曲微晶的相同模型,所有符号的含义与之前的工作(Ray,De&Bhattacherjee,1978;De,Ray&Bhatacherjee(1979))中所述的含义相同。这里,Rm和Wm也被分别取为车辙层位于正确位置和错误位置的概率。如果K是一个整数,并且单位角位移由~o/K给出,则存在(K-1)与位移角p~o/K对应的错误位置,其中p可以假定值1、2、3。。。。(K--1)。利用这些条件Rm+(K--1)Wm=1,根据Wilson(1962),我们得到,其中st是沿着弧方向滑动的概率,q~是0567-7394/80/0101153-02501.00上两个相邻晶格点在公共轴上同一弧所对的角度。晶格点(r,m,t)的平均角位置在位移层中变为[r+(Kl)/2Wm]~0。插入此修改值,强度I(hKl o)可以显示为