用重合点晶格模式分析4层堆叠结构的晶界结构H（H）-Laves相类型

通过高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）对Si和Ge中的点缺陷团聚体的最新结构研究以及一些新结果进行了汇编。在HRTEM观察期间，通过检查缺陷形成过程中入射电子的波动性质以及电子辐照下点缺陷的相关复合，我们表明，HRTEM是分析晶体内纳米尺寸点缺陷小团聚体原子结构的唯一方法。重点是扩展只有通过HRTEM精细而关键的结构确定才能实现的研究：原子水平上的团聚机制，点缺陷的新单元结构的提取，以及团聚物的电子结构。在{113}和{001}缺陷的情况下，演示了一些有关主题的示例。还讨论了试样表面对结构测定的影响。最后，描述了TEM技术与原位光谱的发展，该技术用于研究电子辐照下点缺陷的相互作用，从而可以加强HRTEM实验。微型计算机。Res.Tech.40:313–3351998年。©1998 Wiley‐Liss公司。

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金属间化合物被认为是先进半导体器件的潜在互连材料。本研究报告了热生长SiO2上形成的三种低电阻率金属间化合物（Cu2Mg、CuAl2和NiAl）的互扩散可靠性和电阻率标度。实验观察和热力学计算表明，CuAl2和NiAl具有良好的互扩散可靠性，但Cu2Mg没有。这是由于Al和SiO2之间反应缓慢，以及Cu-Al和Ni-Al之间的强化学键。在电阻率标度方面，所有三种金属间化合物均表现出比铜更好的电阻率标度。利用经典散射模型对薄膜的电阻率进行了测量，并通过曲线拟合获得了特征参数。为了解释电阻率标度，进行了第一原理计算，以确定电子平均自由程和体电阻率。结果表明，除了最佳的材料性能（即短平均自由程和低体电阻率）外，还必须具有最佳的微观结构特征，即低缺陷密度的表面、界面和晶界。CuAl2和NiAl似乎满足互扩散和电阻率条件，有望在未来器件中取代Cu互连。