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2024
- 先进3-nm技术中各种电路的Cell-Aware测试詹高,胡敏春0002,罗杰·贝特,比拉尔·切哈布,乔·斯文顿,桑托什·马拉吉,乔斯·胡斯肯,基斯·古森,埃里克·扬·马里尼森.日期, 41(2):56-64,2024 [美国国防部]
2019
2017
- N7以外基于FinFET的6T SRAM单元的器件电路和技术合作优化莫希特·库马尔·古普塔,彼得·威克斯,斯特凡·科塞曼斯,彼得·舒丁克,罗杰·贝特,德米特里·亚基米特,Doyoung Jang先生,亚西尔·谢拉齐,普拉文·拉格万,阿莱西奥·斯佩索特,安达·莫库塔,维姆·德哈内.埃斯代克2017:256-259 [美国国防部]
- N7以外6T SRAM的专用技术阈值电压调谐莫希特·库马尔·古普塔,彼得·威克斯,斯特凡·科塞曼斯,彼得·舒丁克,罗杰·贝特,Doyoung Jang先生,亚西尔·谢拉齐,普拉文·拉加万,阿莱西奥·斯佩索特,安达莫库塔,维姆·德哈内.icicdt 2017:1-4 [美国国防部]
2016
2015
2014
- N10的设计技术协同优化朱利安·瑞卡特,普拉文·拉格万,罗吉尔·贝尔特,玛丽·加西亚·巴登,M.杜萨,阿林达姆·马利克,S.Sakhare公司,B.范德维尔,皮特·旺巴克(Piet Wambacq),巴拉尼·查瓦,克里斯·克罗斯,莫林·德汉,Doyoung Jang先生,P.勒雷,T.T.刘,宫口贤一,伯特兰·帕维斯,P.舒丁克,P.威马斯,阿卜杜勒卡里姆·默查,J.博梅尔斯,N.Horiguchi公司,G.麦金太尔,亚伦·提安,Zsolt Tokei公司,S.Cheng先生,Diederik Verkest公司,A.Steegen公司.中金公司2014:1-8 [美国国防部]
2013
- TEASE:基于FinFET的先进技术节点早期评估的系统分析框架阿林达姆·马利克,保罗·祖伯,刘宗泰,巴拉尼·查瓦,巴瓦娜·巴拉尔,巴勃罗·罗伊尔·德尔巴里奥,罗杰·贝特,克里斯·克罗斯,朱利安·瑞卡特,穆斯塔法·巴达罗格鲁,阿卜杜勒卡里姆·默查,Diederik Verkest公司.2013年dac:24 [美国国防部]
2012
2011
2009
2008
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