无机化合物\(\def\h填{\hskip5em}\def\hfil{\hski p3em}\def\eqno#1{\hfil{#1}}\)

期刊徽标晶体学
通信
国际标准编号:2056-9890

文学士2某人4GeS公司10

淮北师范大学物理与电子信息系,安徽淮北235000
*通信电子邮件:lgeng.cn@gmail.com

(收到日期:2013年3月8日; 2013年3月22日接受; 2013年4月5日在线)

标题四元化合物,四锑锗十硫化物,钡2某人4GeS公司10,以新颖的三维形式结晶[锑4GeS公司10]4−由三角金字塔SbS组成的网络结构(场地对称..),变形SbS5(..)多面体和规则GeS4(-4…)四面体。SbS公司和SbS5单元通过角共享和边共享相互连接,形成Sb4S公司10中的层ab公司平面。GeS公司4四面体进一步桥接两个相邻的锑4S公司10层,形成三维[锑4GeS公司10]4−网络。巴2+阳离子(..2)位于两个锑之间4S公司10由十个Ba-S键长在3.2505(9)–3.4121(2)Au范围内的S原子配位。

相关文献

立体化学活性52单面电子具有很大的电偶极矩并且可以影响含有锑的结构3+参见:Choi和Kanatzidis(2000【Choi,K.S.和Kanatzidis,M.G.(2000),《无机化学》39,5655-5662。】); Babo和Albrecht Schmitt(2012年【Babo,J.M.和Albrecht-Schmitt,T.E.(2012),《固体化学杂志》,187,264-268。】). 新加坡银行,新加坡4或SbS5中的单位晶体结构容易通过角共享或边共享形成Sb-S链,参见:Dorrscheidt&Schäfer(1981[Dorrscheidt,W.&Schäfer,H.(1981).Z.Naturforsch.Teil B,36,410-414.]); 科迪尔等。(1984【Cordier,G.,Schwidetzky,C.&Schäfer,H.(1984),《固体化学杂志》,54,84-88。】). GeS公司4四面体可以被用作第二个结构单元,并引入晶体结构中,将Sb-S链连接成二维层或三维框架结构(冯等。, 2008[Feng,M.L.,Kong,D.N.,Xie,Z.L.&Huang,X.Y.(2008).Angew.Chem.Int.Ed.47,8623-8626.]). 有关晶体结构和光学特性,请参见:Deng等。(2005【Deng,B.,Chan,G.H.,Ellis,D.E.,Van Duyne,R.P.&Ibers,J.A.(2005),《固体化学杂志》,178,3169-3175。】); 基姆等。(2008【Kim,Y.,Seo,I.S.,Martin,S.W.,Baek,J.,Halasyamani,P.S.,Arumugam,N.&Steinfink,H.(2008),《化学材料》20,6048-6052。】); 肋骨等。(1973【Ribes,M.,Olivier-Fourcade,J.,Philippot,E.&Maurin,M.(1973),《固体化学杂志》第8期,195-205年。】); 泰斯克(1979年【Teske,C.L.(1979).Z.Naturforsch.Teil B,34,544-547.】); 列克塞等。(2009【Lekse,J.W.,Moreau,M.A.,McNerny,K.L.,Yeon,J.,Halasyamani,P.S.&Aitken,J.A.(2009).无机化学.48,7516-7518.】).

实验

水晶数据
  • 文学士2某人4GeS公司10

  • M(M)第页= 1154.87

  • 正方形,P(P)42/ b条 c(c)

  • = 11.3119 (4) Å

  • c(c)= 13.6384 (9) Å

  • V(V)= 1745.16 (14) Å

  • Z= 4

  • K(K)α辐射

  • μ=13.40毫米−1

  • T型=293千

  • 0.22×0.07×0.07毫米

数据收集
  • Rigaku SCXMini CCD衍射仪

  • 吸收校正:多扫描(CrystalClear公司; 里加库,2007年[Rigaku(2007)。CrystalClear。日本东京Rikaku公司。])T型最小值= 0.530,T型最大值= 1.000

  • 12411次测量反射

  • 1046个独立反射

  • 1032次反射> 2σ()

  • R(右)整数= 0.030

精炼
  • R(右)[F类2> 2σ(F类2)] = 0.018

  • 水风险(F类2) = 0.042

  • S公司= 1.15

  • 1046次反射

  • 45个参数

  • Δρ最大值=0.66埃−3

  • Δρ最小值=-0.74埃−3

数据收集:CrystalClear公司(里加库,2007年[Rigaku(2007)。CrystalClear。日本东京Rikaku公司。]); 细胞精细化: CrystalClear公司; 数据缩减:CrystalClear公司; 用于求解结构的程序:架子97(谢尔德里克,2008年[Sheldrick,G.M.(2008),《水晶学报》,A64112-122。]); 用于优化结构的程序:SHELXL97型(谢尔德里克,2008年[Sheldrick,G.M.(2008),《水晶学报》,A64112-122。]); 分子图形:钻石(勃兰登堡,2005年【Brandenburg,K.(2005).钻石.Crystal Impact GbR,德国波恩】); 用于准备出版材料的软件:公共CIF(Westrip,2010年【Westrip,S.P.(2010),《应用结晶杂志》,第43期,第920-925页。】).

支持信息


注释顶部

锑基硫属化合物由于其丰富的结构和有趣的物理性质,如非线性光学和离子交换性质,近年来引起了人们的广泛关注。立体化学活性5s2单面电子具有很大的电偶极矩并且可以影响含有锑的结构3+(崔等。2000; 巴布等。2012). 新加坡银行,新加坡4或SbS5中的单位晶体结构易于通过角共享或边共享方式形成一维Sb-S链(多尔谢特等。1981; 科迪尔等。1984). GeS公司4四面体可以用作第二个结构单元并引入晶体结构将Sb-S链连接成二维层或三维框架结构(冯等。2008). 本文描述了Sb-Ge-S体系中一个新的名称四元硫化物。文学士2某人4GeS公司10表示在四元Ba-Sb-Ge-S系统中通过单晶X射线衍射合成和结构表征的结构的第一个示例(图1)。它与一个Ge原子在4b条和8上的三个S原子小时, 16和16分别用Wyckoff表示法表示。有两种类型配位多面体SbS组,三角锥SbS和扭曲的SbS5多面体。新加坡银行和SbS5多面体通过角共享构象和边共享构象相互连接,形成锑4S公司10锯齿形链条,进一步并排排列到Sb中4S公司10中的层ab公司-平面(图2)。GeS公司4四面体进一步桥接两个相邻的Sb4S公司10层,形成三维[锑4GeS公司10]-4网络(图3)。钡原子位于两个锑之间4S公司10Ba-S键长在3.2505(9)-3.4121(2)Au范围内的十个S原子的层和坐标,这是硫化物(多尔谢特等。1981; 科迪尔等。1984).

相关文献顶部

立体化学活性52单面电子具有很大的电偶极矩并且可以影响含有锑的结构3+参见:Choi&Kanatzidis(2000);Babo和Albrecht-Schmitt(2012年)。新加坡银行,新加坡4或SbS5中的单位晶体结构容易通过角共享或边共享形成Sb-S链,参见:Dorrscheidt&Schafer(1981);科迪尔等。(1984). GeS公司4四面体可以用作第二个结构单元,并引入晶体结构中,将Sb-S链连接成二维层或三维框架结构(冯等。2008). 对于相关信息[关于什么主题?],参见:Deng等。(2005); 基姆等。(2008); 肋骨等。(1973); Teske(1979);列克塞等。(2009).

实验顶部

标题化合物Ba2某人4GeS公司10在真空密封石英管中通过高温固相反应合成了。将BaS(0.5 mmol,0.0847 g)、Sb(1 mmol,0.1218 g)、Ge(0.25 mmol,0.0182 g)、S(2 mmol,0.641 g)的混合物装载在硅胶安瓿中,密封于10-2Pa,在60 h内逐渐加热至1173 K(保持10 h),然后在300 h内冷却至室温。棒状Ba晶体2某人4GeS公司10获得了深红色。晶体在空气和水分条件下是稳定的。

精炼顶部

Ba中的所有原子2某人4GeS公司10 晶体结构均为各向异性精炼,无无序。最高残余峰(0.66 e×Ye-3)在差异中电子密度图位于(0.1992,0.3008,1/4),距Ba1原子1.09º。最深的孔(-0.73 e×Ye-3)位于(0.1670,0.7496,0.2499),距Ba1原子0.77º。

结构描述顶部

锑基硫属化合物由于其丰富的结构和有趣的物理性质,如非线性光学和离子交换性质,近年来引起了人们的广泛关注。立体化学活性5s2单面电子具有很大的电偶极矩并且可以影响含有锑的结构3+(崔等。2000; 巴布等。2012). 新加坡银行,新加坡4或SbS5中的单位晶体结构易于通过角共享或边共享方式形成一维Sb-S链(多尔谢特等。1981; 科迪尔等。1984). GeS公司4四面体可以用作第二个结构单元并引入晶体结构将Sb-S链连接成二维层或三维框架结构(冯等。2008). 本文描述了Sb-Ge-S体系中一个新的名称四元硫化物。文学士2某人4GeS公司10代表了在四元Ba-Sb-Ge-S系统中通过单晶X射线衍射合成和结构表征的结构的第一个例子(图1)。它与4上的一个Ge原子一起结晶b条和8上的三个S原子小时, 16和16分别以Wyckoff符号表示。有两种类型配位多面体SbS组,三角锥SbS和扭曲的SbS5多面体。新加坡银行和SbS5多面体通过角共享构象和边共享构象相互连接,形成锑4S公司10锯齿形链,进一步并排排列到Sb中4S公司10中的层ab公司-平面(图2)。GeS公司4四面体进一步桥接两个相邻的锑4S公司10层,形成三维[锑4GeS公司10]-4网络(图3)。Ba原子位于两个Sb之间4S公司10Ba-S键长在3.2505(9)-3.4121(2)Au范围内的十个S原子的层和坐标,这是硫化物(多尔谢特等。1981; 科迪尔等。1984).

立体化学活性52单面电子具有很大的电偶极矩并且可以影响含有锑的结构3+参见:Choi&Kanatzidis(2000);Babo和Albrecht-Schmitt(2012年)。新加坡银行,新加坡4或SbS5中的单位晶体结构容易通过角共享或边共享形成Sb-S链,参见:Dorrscheidt&Schafer(1981);科迪尔等。(1984). GeS公司4四面体可以用作第二结构单元,并引入晶体结构中,将Sb-S链连接成二维层或三维框架结构(Feng等。2008). 对于相关信息[关于什么主题?],参见:邓等。(2005); 基姆等。(2008); 肋骨等。(1973); Teske(1979);列克塞等。(2009).

计算详细信息顶部

数据收集:CrystalClear公司(里加库,2007年);细胞精细化: CrystalClear公司(里加库,2007年);数据缩减:CrystalClear公司(里加库,2007年);用于求解结构的程序:SHELXS97标准(谢尔德里克,2008);用于优化结构的程序:SHELXL97型(谢尔德里克,2008);分子图形:钻石(勃兰登堡,2005);用于准备出版材料的软件:公共CIF(Westrip,2010)。

数字顶部
[图1] 图1。钡的晶体结构2某人4GeS公司10以GeS为单位4沿[001]观察的多面体表示。绿色四面体代表GeS4每个四面体的角上都有黄色的硫原子。
[图2] 图2。新加坡银行和SbS5多面体通过角共享构象和边共享构象相互连接,形成锑4S公司10锯齿形链条,进一步并排排列到Sb中4S公司10中的层ab公司-飞机。
[图3] 图3。小说的立体感[锑4GeS公司10]-4沿[100]方向观察的网络。GeS公司4四面体作为两个相邻锑的桥接单元4S公司10层。
十硫化二钡四锑(III)锗(IV)顶部
水晶数据 顶部
文学士2某人4GeS公司10D类x=4.395毫克/米
M(M)第页= 1154.87K(K)α辐射,λ= 0.71073 Å
正方形,P(P)42/b条c(c)1877次反射的细胞参数
大厅符号:-P 4ac 2abθ= 2.3–27.5°
= 11.3119 (4) ŵ=13.40毫米1
c(c)= 13.6384 (9) ÅT型=293千
V(V)= 1745.16 (14) Å暗色杆
Z= 40.22×0.07×0.07毫米
F类(000) = 2032
数据收集 顶部
Rigaku SCXMini CCD
衍射仪
1046个独立反射
辐射源:细焦点密封管1032次反射> 2σ()
石墨单色仪R(右)整数= 0.030
CCD_Profile_fitting扫描θ最大值= 27.5°,θ最小值= 2.6°
吸收校正:多扫描
(CrystalClear公司; 里加库,2007年)
小时=1414
T型最小值= 0.530,T型最大值= 1.000k个=1411
12411次测量反射=1617
精炼 顶部
优化于F类2主原子位置定位:结构-变量直接方法
最小二乘矩阵:完整二次原子位置:差分傅里叶映射
R(右)[F类2> 2σ(F类2)] = 0.018 w个= 1/[σ2(F类o个2) + (0.0214P(P))2+ 3.2912P(P)]
哪里P(P)= (F类o个2+ 2F类c(c)2)/3
水风险(F类2) = 0.042(Δ/σ)最大值< 0.001
S公司= 1.15Δρ最大值=0.66埃
1046次反射Δρ最小值=0.74埃
45个参数消光校正:SHELXL97型(谢尔德里克,2008),Fc*=kFc[1+0.001xFc2λ/罪(2θ)]-1/4
0个约束消光系数:0.00225(8)
水晶数据 顶部
文学士2某人4GeS公司10Z= 4
M(M)第页= 1154.87K(K)α辐射
正方形,P(P)42/b条c(c)µ=13.40毫米1
= 11.3119 (4) ÅT型=293千
c(c)= 13.6384 (9) Å0.22×0.07×0.07毫米
V(V)= 1745.16 (14) Å
数据收集 顶部
里加库SCXMini CCD
衍射仪
1046个独立反射
吸收校正:多扫描
(CrystalClear公司; 里加库,2007年)
1032次反射> 2σ()
T型最小值= 0.530,T型最大值= 1.000R(右)整数= 0.030
12411次测量反射
精炼 顶部
R(右)[F类2> 2σ(F类2)] = 0.01845个参数
水风险(F类2) = 0.0420个约束
S公司= 1.15Δρ最大值=0.66埃
1046次反射Δρ最小值=0.74埃
特殊细节 顶部

几何形状.所有e.s.d.(除了两个l.s.平面之间二面角中的e.s.d.)均使用全协方差矩阵进行估计。在估计e.s.d.的距离、角度和扭转角时,单独考虑单元e.s.d;只有当e.s.d.的胞内参数由晶体对称性定义时,才使用它们之间的相关性。单元e.s.d.的近似(各向同性)处理用于估计涉及l.s.平面的e.s.d。

精炼.改进F类2对抗所有反射。加权R(右)-因子水风险和贴合度S公司基于F类2,常规R(右)-因素R(右)基于F类,使用F类负值设置为零F类2。的阈值表达式F类2>σ(F类2)仅用于计算R(右)-因子(gt).与选择反射进行细化无关。R(右)-因素基于F类2在统计上大约是基于F类、和R(右)-基于所有数据的因素将更大。

分数原子坐标和各向同性或等效各向同性位移参数2) 顶部
xz(z)U型国际标准化组织*/U型等式
Ba1型0.232424 (19)0.732424 (19)0.25000.01704 (10)
Sb1型0.13578 (3)0.41567 (3)00.01543 (10)
Sb2型0.46488 (3)0.34169 (3)00.01796 (10)
Ge1公司000.25000.01175 (15)
S1(第一阶段)0.27060 (10)0.24355 (10)00.0136 (2)
S2系列0.01781 (8)0.15428 (7)0.34843 (6)0.01631 (18)
第3章0.02261 (7)0.32137 (8)0.13186 (6)0.01777 (19)
原子位移参数(2) 顶部
U型11U型22U型33U型12U型13U型23
Ba1型0.01715 (12)0.01715 (12)0.01683 (15)0.00214 (11)0.00097 (7)0.00097 (7)
第1阶段0.01518 (17)0.01341 (17)0.01771 (17)0.00143 (11)00
Sb2型0.01151 (17)0.02030 (18)0.02206 (18)0.00225 (12)00
Ge1公司0.0126 (2)0.0126 (2)0.0101 (3)000
S1(第一阶段)0.0101 (5)0.0121 (5)0.0184 (6)0.0006 (4)00
S2系列0.0201 (4)0.0142 (4)0.0146 (4)0.0020 (3)0.0009 (3)0.0026 (3)
第3章0.0131 (4)0.0254 (4)0.0147 (4)0.0025 (3)0.0024 (3)0.0028 (3)
几何参数(λ,º) 顶部
Ba1-S2合金3.2505 (9)Sb2-S3型viii(八)2.6576 (9)
Ba1-S2合金ii(ii)3.2505 (9)Sb2-S2型iv(四)2.9352 (9)
Ba1-S3型ii(ii)3.3596 (9)Sb2-S2型2.9352 (9)
Ba1-S3型3.3596 (9)Ge1-S2型2.2110 (8)
Ba1-S3型3.3599 (8)Ge1-S2型x2.2110 (8)
Ba1-S3型iv(四)3.3599 (8)Ge1-S2型xi(西)2.2110 (8)
Ba1-S2合金iv(四)3.3849 (9)Ge1-S2型xii(十二)2.2110 (8)
Ba1-S2合金3.3849 (9)S1-Ba1型十三3.4121 (2)
Ba1-S1型ii(ii)3.4121 (2)S1-Ba1型十四3.4121 (2)
Ba1-S1型v(v)3.4121 (2)S2-Sb2型xv(xv)2.9352 (9)
Sb1-S3号不及物动词2.4517 (9)S2-Ba1型十四3.2505 (9)
Sb1-S3号2.4517 (9)S2-Ba1级3.3849 (9)
Sb1-S1号2.4732 (12)S3-Sb2系列十六2.6576 (9)
Sb2-S1型2.4621 (12)S3-Ba1系列十四3.3596 (9)
Sb2-S3型vii(七)2.6576 (9)S3-Ba1系列3.3599 (8)
S2系列-Ba1-S2合金ii(ii)130.04 (3)第3章iv(四)-Ba1-S1型v(v)120.60 (3)
S2系列-Ba1-S3型ii(ii)76.46 (2)S2系列iv(四)-Ba1-S1型v(v)68.80 (2)
S2系列ii(ii)-Ba1-S3型ii(ii)64.06 (2)S2系列-Ba1-S1型v(v)111.96 (2)
S2系列-Ba1-S3型64.06 (2)S1(第一阶段)ii(ii)-Ba1-S1型v(v)177.82 (4)
S2系列ii(ii)-Ba1-S3型76.46 (2)第3章不及物动词-Sb1-S3号94.37 (4)
第3章ii(ii)-Ba1-S3型74.69 (3)第3章不及物动词-Sb1-S1型88.82 (3)
S2系列-Ba1-S3型153.52 (2)S3-Sb1-S1系列88.82 (3)
S2系列ii(ii)-Ba1-S3型74.09 (2)S1-Sb2-S3型vii(七)84.63 (3)
第3章ii(ii)-Ba1-S3型129.53 (3)S1至S2至S3viii(八)84.63 (3)
第3章-Ba1-S3型122.17 (3)第3章vii(七)-Sb2-S3型viii(八)85.17 (4)
S2系列-Ba1-S3型iv(四)74.09 (2)S1-Sb2-S2型iv(四)80.46 (3)
S2系列ii(ii)-Ba1-S3型iv(四)153.52 (2)第3章vii(七)-Sb2-S2型iv(四)164.84 (3)
第3章ii(ii)-Ba1-S3型iv(四)122.17 (3)第3章viii(八)-Sb2-S2型iv(四)90.69 (3)
第3章-Ba1-S3型iv(四)129.53 (3)S1-Sb2-S2型80.46 (3)
第3章-Ba1-S3型iv(四)85.35 (3)第3章vii(七)-Sb2-S2型90.69 (3)
S2系列-Ba1-S2型iv(四)66.88 (3)第3章viii(八)-Sb2-S2型164.84 (3)
S2系列ii(ii)-Ba1-S2合金iv(四)131.76 (3)S2系列iv(四)-Sb2-S2型89.54 (3)
第3章ii(ii)-Ba1-S2合金iv(四)140.05 (2)S2-Ge1-S2号机组x111.63 (2)
第3章-Ba1-S2型iv(四)75.40 (2)S2-Ge1-S2号机组xi(西)105.23 (4)
第3章-Ba1-S2合金iv(四)89.05 (2)S2系列x-Ge1-S2型xi(西)111.63 (2)
第3章iv(四)-Ba1-S2合金iv(四)62.66 (2)S2-Ge1-S2号机组xii(十二)111.63 (2)
S2系列-Ba1-S2合金131.76 (3)S2系列x-Ge1-S2型xii(十二)105.23 (4)
S2系列ii(ii)-Ba1-S2合金66.88 (3)S2系列xi(西)-Ge1-S2型xii(十二)111.63 (2)
第3章ii(ii)-Ba1-S2合金75.40 (2)Sb2-S1-Sb1层101.27 (4)
第3章-Ba1-S2型140.05 (2)锑-S1-Ba1十三91.466 (19)
第3章-Ba1-S2合金62.66 (2)Sb1-S1-Ba1型十三91.31 (2)
第3章iv(四)-Ba1-S2合金89.05 (2)锑-S1-Ba1十四91.466 (19)
S2系列iv(四)-Ba1-S2合金142.24 (3)Sb1-S1-Ba1型十四91.31 (2)
S2系列-Ba1-S1型ii(ii)63.42 (2)Ba1型十三-S1-Ba1型十四175.62 (4)
S2系列ii(ii)-Ba1-S1型ii(ii)115.56 (2)Ge1-S2-Sb2型xv(xv)96.58 (3)
第3章ii(ii)-Ba1-S1型ii(ii)61.18 (2)Ge1-S2-Ba1型十四92.47 (3)
第3章-Ba1-S1型ii(ii)116.86 (3)Sb2型xv(xv)-S2-Ba1型十四86.85 (2)
第3章-Ba1-S1型ii(ii)120.60 (3)Ge1-S2-Ba1型88.96 (3)
第3章iv(四)-Ba1-S1型ii(ii)61.24 (2)Sb2型xv(xv)-S2-Ba1级154.96 (3)
S2系列iv(四)-Ba1-S1型ii(ii)111.96 (2)Ba1型十四-S2-Ba1型117.39 (2)
S2系列-Ba1-S1型ii(ii)68.80 (2)Sb1-S3-Sb2十六86.21 (3)
S2系列-Ba1-S1型v(v)115.56 (2)硫b1-S3-Ba1十四92.95 (3)
S2系列ii(ii)-Ba1-S1型v(v)63.42 (2)Sb2型十六-S3-Ba1系列十四108.63 (3)
第3章ii(ii)-Ba1-S1型v(v)116.86 (3)锑-S3-Ba1151.51 (4)
第3章-Ba1-S1型v(v)61.18 (2)Sb2型十六-S3-Ba1系列89.30 (2)
第3章-Ba1-S1型v(v)61.24 (2)Ba1型十四-S3-Ba1系列115.09 (3)
第3章vii(七)-Sb2-S1-Sb1层137.18 (2)S3-Sb1-S1-Ba1型十四41.05 (3)
第3章viii(八)-Sb2-S1-Sb1型137.18 (2)S2系列x-Ge1-S2-Sb2型xv(xv)157.74 (2)
S2系列iv(四)-Sb2-S1-Sb1型45.572 (18)S2系列xi(西)-Ge1-S2-Sb2型xv(xv)36.474 (13)
S2系列-Sb2-S1-Sb1型45.572 (18)S2系列xii(十二)-Ge1-S2-Sb2型xv(xv)84.791 (7)
第3章vii(七)-锑-S1-Ba1十三45.55 (3)S2系列x-Ge1-S2-Ba1型十四115.15 (4)
第3章viii(八)-锑-S1-Ba1十三131.19 (3)S2系列xi(西)-锗1-S2-Ba1十四123.59 (3)
S2系列iv(四)-锑-S1-Ba1十三137.20 (3)S2系列xii(十二)-Ge1-S2-Ba1型十四2.32 (3)
S2系列-锑-S1-Ba1十二46.06 (2)S2系列x-Ge1-S2-Ba1型2.23 (2)
第3章vii(七)-锑-S1-Ba1十四131.19 (3)S2系列xi(西)-Ge1-S2-Ba1型119.04 (3)
第3章viii(八)-锑-S1-Ba1十四45.55 (3)S2系列xii(十二)-Ge1-S2-Ba1型119.70 (3)
S2系列iv(四)-锑-S1-Ba1十四46.06 (2)第3章不及物动词-Sb1-S3-Sb2十六22.13 (4)
S2系列-锑-S1-Ba1十四137.20 (3)S1-Sb1-S3-Sb2十六66.60 (3)
第3章不及物动词-Sb1-S1-Sb2132.80 (2)第3章不及物动词-硫b1-S3-Ba1十四130.615 (18)
S3-Sb1-S1-Sb2132.80 (2)S1-Sb1-S3-Ba1型十四41.89 (3)
第3章不及物动词-Sb1-S1-Ba1型十三41.05 (3)第3章不及物动词-硫b1-S3-Ba159.38 (9)
S3-Sb1-S1-Ba1型十三135.44 (3)S1-Sb1-S3-Ba1型148.11 (7)
第3章不及物动词-Sb1-S1-Ba1型十四135.44 (3)
对称代码:(i)x+1/2,+1/2,z(z); (ii),x+1,z(z)+1/2; (iii)x,+1,z(z); (iv)+1/2,x+1/2,z(z)+1/2; (v)x+1/2,+1/2,z(z); (vi)x,,z(z); (vii)x+1/2,+1/2,z(z); (viii)x+1/2,+1/2,z(z); (ix)+1/2,x+1/2,z(z)1/2; (x),x,z(z)+1/2; (十一)x,,z(z); (十二),x,z(z)+1/2; (十二)+1,x,z(z)1/2; (十四)+1,x,z(z)+1/2; (十五)+1/2,x+1/2,z(z)+1/2; (十六)x1/2,+1/2,z(z).

实验细节

水晶数据
化学式文学士2某人4GeS公司10
M(M)第页1154.87
晶体系统,空间组正方形,P(P)42/b条c(c)
温度(K)293
,c(c)(Å)11.3119 (4), 13.6384 (9)
V(V))1745.16 (14)
Z4
辐射类型K(K)α
µ(毫米1)13.40
晶体尺寸(mm)0.22 × 0.07 × 0.07
数据收集
衍射仪Rigaku SCXMini CCD
吸收校正多扫描
(CrystalClear公司; 里加库,2007年)
T型最小值,T型最大值0.530, 1.000
测量、独立和
观察到的[> 2σ()]反射
12411, 1046, 1032
R(右)整数0.030
(罪θ/λ)最大值1)0.649
精炼
R(右)[F类2> 2σ(F类2)],水风险(F类2),S公司0.018, 0.042, 1.15
反射次数1046
参数数量45
Δρ最大值, Δρ最小值(eó))0.66,0.74

计算机程序:CrystalClear公司(里加库,2007年),SHELXS97标准(谢尔德里克,2008),SHELXL97型(谢尔德里克,2008),钻石(勃兰登堡,2005),公共CIF(Westrip,2010)。

 

致谢

作者感谢安徽省高校自然科学研究项目(KJ2013B238)的支持。

工具书类

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