封面插图：用静电势着色的硅的电子密度等值面（红色表示最低，蓝色表示最高），以及硅的会聚束电子衍射（CBED）图案。相邻原子之间的红色区域表明，静电势因过剩（键合）电子而降低。静电势和电子密度是用CBED结构再精细化方法测定的等。(2008),《水晶学报》。一个64, 587-597]. 该图是使用VESTA公司[Momma&Izumi（2008），J.应用。克里斯特。 41, 653-658].
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