1、 同步动态随机存取存储器，同步动态随机存取存储器，同步是指存储器工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址进行数据读写。 SDRAM软件从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDRAM、DDR SDRAM第二部分、DDR2 SDRAM第三部分、DDR3 SDRAM第四部分。第一代与第二代SDRAM（单端）时钟信号,第三代与第四代由于工作频率比较快，所以采用可降低干扰的差分时钟信号作为同步时钟。 SDR SDRAM的时钟频率就是数据存储的频率，第一代内存用时钟频率命名，如pc100、pc133则表明时钟信号为100或133MHz数据读写速率也为100或133兆赫之后的第二，三，四代DDR（双数据速率）内存则采用数据读写速率作为命名标准，并且在前面加上表示其DDR，PC-DDR，PC2=DDR2，PC3=DDR3如PC2700 DDR333，工作333/2=166MHz，2700信号7GDDR200 DDR400、DDR2 DDR2-400 DDR2-800、DDR3 DDR3-800 DDR3-1666很多人将SDRAM软件错误的理解为第一代也就是 SDR SDRAM并且作为名词解释，皆属误导。 SDR（SDRAM）引脚：模组或芯片与外部电路电路连接用的金属引脚，而模组的引脚“SIMM”：单线内存模块，单列内存模组。内存模组就是我们常说的内存条，所谓单列是指模组电路板与主板插槽的接口只有一列引脚（虽然两侧都有金手指）。 DIMM：双列直插式内存模块双列内存模组。是我们常见的模组类型，所谓双列是指模组电路板与主板插槽的接口有两列引脚，模组电路板两侧的金手指对应一列引脚。 RIMM：已注册的DIMM带寄存器的双线内存模块，这种内存槽只能插DDR或Rambus内部SO-DIMM：笔记本常用的内存模组。 工作电压： SDR:3V DDR:5V DDR2:8V DDR3:5V SDRAM内存条的金手指通常是168年，DDR SDRAM内存条的金手指通常是184线的。 几代产品金手指的缺口数及缺口位置也不同有效防止反插与错插，SDRAM、DDR只有一个缺口。
1、
2、影响性能的主要时序参数 所谓的影响性能是并不是指SDRAM软件的带宽，频率与位宽固定后，带宽也就不可更改了。但这是理想的情况，在内存的工作周期内，不可能总处于数据传输的状态，因为要有命令、寻址等必要的过程。但这些操作占用的时间越短，内存工作的效率越高，性能也就越好。 非数据传输时间的主要组成部分就是各种延迟与潜伏期。通过上文的讲述，大家应该很明显看出有三个参数对内存的性能影响至关重要，它们是tRCD、CL和tRP每条正规的内存模组都会在标识上注明这三个参数值，可见它们对性能的敏感性。 以内存最主要的操作——读取为例。tRCD公司(有效）至列寻址（读/写命令）之间的间隔，氯决定了列寻址到数据进行真正被读取所花费的时间，tRP L银行中不同工作行转换的速度。现在可以想象一下读取时可能遇到的几种情况（分析写入操作时不用考虑氯即可）： 要寻址的行与L-银行是空闲的。也就是说该L-银行的所有行是关闭的，此时可直接发送行有效命令，数据读取前的总耗时为tRCD+CL这种情况我们称之为页命中（PH，Page Hit）要寻址的行正好是前一个操作的工作行，也就是说要寻址的行已经处于选通有效状态，此时可直接发送列寻址命令，数据读取前的总耗时仅为氯，这就是所谓的背靠背（背对背）寻址，我们称之为页快速命中（PFH，页面快速点击）或（PDH，页面直接点击）要寻址的行所在的L-银行中已经有一个行处于活动状态（未关闭），这种现象就被称作寻址冲突，此时就必须要进行预充电来关闭工作行，再对新行发送行有效命令。结果，总耗时就是tRP+tRCD+CL这种情况我们称之为页错失（PM，缺页）显然，PFH公司是最理想的寻址情况，颗粒物则是最糟糕的寻址情况。上述三种情况发生的机率各自简称为PHR——PH速率、PFDR——PFH速率、PMR——PM速率因此，系统设计人员（包括内存与北桥芯片）都尽量想提高PHR PFHR，PMR时间以达到提高内存工作效率的目的。 增加菲律宾比索的方法 显然，这与预充电管理策略有着直接的关系，目前有两种方法来尽量提高菲律宾比索自动预充电技术就是其中之一，它自动的在每次行操作之后进行预充电，从而减少了日后对同一L-银行不同行寻址时发生冲突的可能性。但是，如果要在当前行工作完成后马上打开同一L-银行的另一行工作时，仍然存在tRP（热膨胀系数）的延迟。怎么办？ 此时就需要L-银行交错预充电了。 VIA第4版路交错式内存控制就是在一个L-银行工作时，对下一个要工作的L-银行进行预充电。这样，预充电与数据的传输交错执行，当访问下一个L组时间，tRP已过，就可以直接进入行有效状态了。目前VIA银行16路内存交错，并以外场可更换单元算法进行预充电管理。 有关L-银行预测(存取）的具体执行在本刊2001年第2期已有详细介绍，这里就不再重复了。 L-银行交错自动预充电/读取时序图（可点击放大）：L组0实现了无间隔交错读取，避免了tRP（热膨胀系数）对性能的影响 增加PFHR公司的方法 无论是自动预充电还是交错工作的方法都无法消除tRCD（遥控门锁）所带来的延迟。要解决这个问题，就要尽量让一个工作行在进行预充电前尽可能多的接收多个工作命令，以达到背靠背的效果，此时就只剩下氯所造成的读取延迟了（写入时没有延迟）。 如何做到这一点呢？这就是北桥芯片的责任了。在上文的时序图中有一个参数tRAS（激活预充电命令行有效至预充电命令间隔周期）。它有一个范围，对于PC133型标准，一般是预充电命令至少要在行有效命令5个时钟周期之后发出，最长间隔视芯片而异（12万纳秒）左右），否则工作行的数据将有丢失的危险。那么这也就意味着一个工作行从有效（选通）开始，可以有120000纳秒的持续工作时间而不用进行预充电。显然，只要北桥芯片不发出预充电（包括允许自动预充电）的命令，行打开的状态就会一直保持。在此期间的对该行的任何读写操作也就不会有tRCD（遥控门锁）的延迟。可见，如果北桥芯片在能同时打开的行（页）越多，那么PFHR公司也就越大。需要强调的是，这里的同时打开不是指对多行同时寻址（那是不可能的），而是指多行同时处于选通状态。我们可以看到一些SDRAM软件芯片组的资料中会指出可以同时打开多少个页的指标，这可以说是决定其内存性能的一个重要因素。 英特尔845 MCH的资料：其中表明它可以支持24个页面同时处于打开状态 但是，可同时打开的页数也是有限制的。从SDRAM软件的寻址原理讲，同一L-银行中不可能有两个打开的行（S-AMP只能为一行服务），这就限制了可同时打开的页面总数。以SDRAM银行为例，理论上最多只能有32个页面能同时处于打开的状态。而如果只有一个P-Bank公司个页面，因为有几个L-银行才能有同时打开几个行而互不干扰。Intel 845 MHC分析24个打开的页面，那也是指P-Bank情况（845MCH）可见845已经将同时打开页数发挥到了极致。 不过，同时打开页数多了，也对存取策略提出了一定的要求。理论上，要尽量多地使用已打开的页来保证最短的延迟周期，只有在数据不存在（读取时）或页存满了（写入时）再考虑打开新的指定页，这也就是变向的连续读/写。而打开新页时就必须要关闭一个打开的页，如果此时打开的页面已是北桥所支持的最大值但还不到理论极限的话，就需要一个替换策略，一般都是用外场可更换单元算法来进行，这与VIA公司的交错控制大同小异。