Analysis of reciprocal space maps of GaN(0001) films grown by molecular beam epitaxy

Kopp, V.S.; Kaganer, V.M.; Jenichen, B.; Brandt, O.

doi:10.1107/S1600576713032639

分子束外延GaN（0001）薄膜的倒易空间图分析

V.S.Kopp公司,V.M.卡加纳,B.杰尼钦和O.勃兰特

分析了6H-SiC（0001）异质外延单晶GaN（0001）薄膜的倒易空间图。薄膜中含有高密度的螺纹位错，这些位错与薄膜平行于表面法线相交。与这些位错相关的应变场预计会将所有倒易晶格点加宽至垂直于位错线的圆盘，即与表面平行。然而，实验上观察到反射也在垂直于表面的方向上变宽，并朝着表面法线方向旋转。使用蒙特卡罗模拟表明，这两个特征都是膜/衬底界面处存在错配位错的自然结果。

关键词：倒易空间图;异质外延薄膜;位错;氮化镓;半导体;分子束外延.

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