物理学。Rev.B 65，174103（2002）-砷化镓的高压x射线吸收研究

GaSe的高压x射线吸收研究

J.Pellicer-Porres、A.Segura、Ch.Ferrer、V.Muñoz、A.San Miguel、A.Polian、J.P.Itié、M.Gauthier和S.Pascarelli

物理学。版本B65，174103–2002年4月16日出版

摘要

我们在GaSe、Ga和Se的压力下进行了两次x射线吸收实验K（K）边缘（分别为10.368和12.653 keV），高达34 GPa。通过扩展x射线吸收精细结构拟合获得的Ga-Se距离单调减小至 $16 \pm 2 平均绩点,$ 遵循一阶Murnaghan状态方程 ${B类}_{0} = 92 \pm 6 平均绩点$ 和 ${B类}_{0}^{'}$ 固定为5。在一个合理的假设下，我们计算了整个结构的演变，直到 $16 \pm 2 平均绩点 .$ 这些计算表明，在压力下，层厚度略有降低。

收到日期：2001年4月30日

内政部：https://doi.org/10.103/PhysRevB.65.174103

©2002美国物理学会

作者和附属机构

J.Pellicer-Porres公司^*,A.塞古拉,Ch.Ferrer公司，以及V.穆尼奥斯

西班牙巴伦西亚大学Ciència dels材料研究所，C\Dr.Moliner 50，Ed.Investigació，E-46100 Burjassot（Valéncia）

A.生力米格尔

1918年11月11日，43 Bd.du 11，F-69622，Villeurbane，France里昂第一大学，第203号，马特里奥体育部

A.Polian公司,J.P.伊蒂，以及M.Gauthier先生

法国巴黎Cedex 05，Jussieu 4号，法国巴黎第六大学，CNRS-UMR 7602，Physique des Milieux Condensés

S.Pascarelli公司

欧洲同步辐射设施，BP 220，38043 Grenoble Cedex，法国

^*信件应寄给的作者。传真：（34）6 3983146。电子邮件：Julio.Pellicer@uv.es

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第65卷，第。2002年5月17日至1日

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