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基于E-Tree互连的技术/存储器协同设计与协同优化

出版:2023年6月5日 出版历史
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    对于片上SRAM,延迟和能量的主要部分由H树互连提供。在本文中,我们提出了一种E-Tree互连技术,该技术基于一种有效的互连技术/内存协同设计框架,用于非均匀工作负载,以最小化H-Tree延迟和能量开销。各种阵列和互连级设计参数通过使用三种新兴互连材料和一个真实的单元库共同设计,以实现最佳性能。

    工具书类

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    M.K.Gupta等人,“超越N5节点的纳米片和叉片SRAM的综合研究”,《IEEE电子器件汇刊》,第68卷,第8期,第3819-38252021页。
    [2]
    Z.Pei等人,“基于石墨烯的超大技术节点大型SRAM缓存互连探索”,IEEE电子器件汇刊,第70卷,第1期,第230-2382022页。
    [3]
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    [4]
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    [5]
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    T.Yu、E.-K.Lee、B.Briggs、B.Nagabhirava和B.Yu,“双层石墨烯/铜混合芯片互连:可靠性研究”,IEEE纳米技术交易,第10卷,第4期,第710-714页,2010年。
    [18]
    S.Achra等人,“石墨烯-钌混合互连中的金属诱导电荷转移掺杂”,《碳》,第183卷,第999-1011页,2021年。
    [19]
    A.Contino等人,“石墨烯与铜互连的电路延迟和功率基准”,于2019年在比利时布鲁塞尔举行的IEEE国际互连技术会议(IITC)上发表。
    [20]
    C.Pan和A.Naeemi,“纳米多栅极和栅极全方位设备时代本地互连技术设计的范式转变”,《电子设备通讯》,IEEE,第36卷,第3期,第274-276页,2015年。

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    • (2023)具有双面互连设计和DTCO基准的CFET SRAMIEEE电子器件汇刊10.1109/TED.2023.330532270:10(5099-5106)在线发布日期:2023年10月

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    1. 基于E-Tree互连的技术/存储器协同设计与协同优化

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        封面图片ACM会议
        GLSVLSI’23:大湖区2023年超大规模集成电路研讨会会议记录
        2023年6月
        731页
        国际标准图书编号:9798400701252
        内政部:10.1145/3583781
        如果复制品不是为了盈利或商业利益而制作或分发的,并且复制品的第一页载有本通知和完整引文,则允许免费制作本作品的全部或部分数字或硬拷贝以供个人或课堂使用。必须尊重作者以外的其他人对本作品组成部分的版权。允许用信用证进行摘要。要以其他方式复制或重新发布,在服务器上发布或重新发布到列表,需要事先获得特定许可和/或付费。从请求权限[电子邮件保护].

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        美国纽约州纽约市

        出版历史

        出版:2023年6月5日

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        作者标记

        1. 中心销接入
        2. 网络植树
        3. 新兴互连材料。
        4. 互连
        5. 标准随机存取存储器
        6. 技术/内存协同优化
        7. 工作量

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        会议

        GLSVLSI’23
        主办单位:
        GLSVLSI’23:大湖区2023年超大规模集成电路研讨会
        2023年6月5日至7日
        田纳西州,诺克斯维尔,美国

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        1156份提交文件的总体接受率为312份,占27%

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        • (2023)具有双面互连设计和DTCO基准的CFET SRAMIEEE电子器件汇刊10.1109/TED.2023.330532270:10(5099-5106)在线发布日期:2023年10月

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