研究论文

SoC设计晶体管级静态低功耗验证

作者:

索菲比利、和

ISLPED’12:2012 ACM/IEEE低功率电子与设计国际研讨会论文集

2012年7月

页129-134

https://doi.org/10.1145/2333606.233694

出版:2012年7月30日出版历史

获取访问权限

摘要

本文提出了一种晶体管级验证流程，用于检测大型低功耗SoC电路中的电气过应力、静态泄漏和ESD-CDM问题。凭借Calibre®PERC™的Spice模式识别和静态电压传播等创新功能，这种方法为无法捕获设计某些本质部分的标准数字检查器带来了显著的附加值，例如模拟IP或在功率驱动流外部设计的第三方IP。在32nm CMOS电路上使用多个独立电源和体偏置策略获得的结果表明，该解决方案能够应对复杂的设计架构。事实上，在几小时内检测到一些严重问题，如数百个电平移位器缺失和隔离单元内的输入级微弱。

工具书类

[1]

Keating，M.、Flynn，D.、Aitken R.、Gibsons，A.和Shi K.，《芯片上系统设计的低功耗方法手册》。Springer Publications，（纽约，2007）。

数字图书馆

谷歌学者

[2]

Saint-Preux F.，《从RTL到低功耗签收的复杂设计中MVRC的使用》，SNUG（法国，2010年）。

谷歌学者

[3]

Dewangan，R.、Varadarajan，R.，Kumar Gupta，J.、Mohindru，N.、Soman，S.，白皮书，Atrenta Inc.SoC物理关闭始于RTL，（2010）。

谷歌学者

[4]

IEEE低功耗集成电路设计和验证标准（2009年3月27日）。

谷歌学者

[5]

Arnim，K.、Borinski，E.、Seegebrecht，P.、Friedler，H.、Brederlow，R.、Thewes，R.，Berthold，Pacha，J.C.，低功耗数字电路90-nm CMOS中的体偏置效率，IEEE固态电路杂志，（2005年7月），1549--1556。

交叉引用

谷歌学者

[6]

Meijer，M.、Pineda de Gyvez，J.和Kapoor，A.，《低功耗电子杂志》，第6卷，（2011），1-12。

谷歌学者

[7]

G.Hackney，《集成电路设计验证的未来》，电子产品，（2010年11月）。

谷歌学者

[8]

Lu，Z.，Bell，D.A.，芯片级ESD设计规则的层次验证，第32届电气过应力/静电放电研讨会（EOS/ESD），（2010年10月）。

谷歌学者

[9]

Medhat，D.，《混合信号SOC更容易的跨域信号保护》，EDA设计线/EE时报，（2009年12月）。

谷歌学者

[10]

Pelz，G.和Roettcher，U.，电路比较的模式匹配和优化混合方法，IEEE计算机辅助设计汇刊，第13卷，第2期，（1994）264-275。

数字图书馆

谷歌学者

[11]

Ohlrich，M.，Ebeling，C.和Ginting，E.，SubGemini:使用快速子图同构算法识别子电路，Proc。IEEE/ACM设计自动化会议，（1993），31-37。

数字图书馆

谷歌学者

[12]

Chanak，T.S.，通过模式匹配对定制VLSI进行网表处理，加利福尼亚州斯坦福大学电气工程系计算机系统实验室，邮编94305。

谷歌学者

[13]

Chen，S.-H.，Ker，M.-D.和Hung，H.-P.，针对跨电源域ESD应力的独立电源域之间接口电路的主动ESD保护设计，IEEE器件和材料可靠性汇刊，第8卷，第3期（2008年9月），549-560。

交叉引用

谷歌学者

[14]

Bailey，S.，《低功耗的未来在这里：IEEE P1801，又名UPF 2.0，第22届超大规模集成电路设计国际会议》（2009）。

数字图书馆

谷歌学者

引用人

查看全部

费雷斯BOulkaid O公司亨利奥L总经理莫伊·M拉丹·G雷蒙德·P(2023)利用满意模理论对集成电路进行电气规则检查2023年欧洲会议展览设计、自动化和测试（DATE）10.23919/日期56975.2023.10137147(1-2)网上发布日期：2023年4月
https://doi.org/10.23919/DATE56975.2023.10137147
小瓶B阿拉德B(2020)集成电路ESD鲁棒性的可扩展和通用设计指导工具——第一部分IEEE集成电路和系统计算机辅助设计汇刊10.1109/TCAD.2019.296212039:10(3067-3080)在线发布日期：2020年10月
https://doi.org/10.109/TCAD.2019.2962120
小瓶B费尔·M库劳LGaly P公司提花机B莱斯科特J阿拉德B(2016)芯片级ESD网络探测和验证的自动化工具2016年第38届电气过应力/静电放电研讨会（EOS/ESD）10.1109/EOSESD.2016.7592551(1-10)在线发布日期：2016年9月
https://doi.org/10.109/EOSESD.2016.7592551
显示更多引用者

索引术语

SoC设计晶体管级静态低功耗验证
1. 硬件

建议

降低高性能低功耗芯片的晶体管可变性

近年来，随着晶体管可变性的增加，限制了晶体管阈值电压的缩放，CMOS集成电路电源电压降低趋于平稳。在大块CMOS上实现的深度耗尽通道晶体管提供了一种低成本的。。。
阅读更多信息
NBTI器件休眠晶体管设计，实现可靠的功率控制
GLSVLSI’09：第19届ACM大湖区超大规模集成电路研讨会会议记录

负偏置温度不稳定性（NBTI）被认为是CMOS器件，特别是pMOS晶体管可靠性的最重要来源。

在这项工作中，我们重点关注NBTI诱导的睡眠晶体管细胞降解。。。
阅读更多信息
使用氧化物重叠异质结隧道晶体管的低功耗7T SRAM单元的器件和电路级设计、表征和实现
摘要
由于MOS晶体管的阈下摆幅不小于60 mV/dec的限制，器件缩放受到限制。研究人员正更多地关注先进、功能更强大的节能技术。。。
阅读更多信息

信息和贡献者

问询处

发布于

ISLPED’12:2012 ACM/IEEE低功率电子与设计国际研讨会论文集

2012年7月

438页

国际标准图书编号：9781450312493

内政部：10.1145/2333660

总主席：
纳雷什·桑巴格
美国伊利诺伊大学香槟分校
,
马西莫·庞奇诺
意大利都灵理工大学
,
课程主席：
Pai H.Chou先生
加州大学欧文分校/NTHU
,
Ajith Amerasekera公司
美国德克萨斯仪器公司

如果复制品不是为了盈利或商业利益而制作或分发的，并且复制品的第一页载有本通知和完整引文，则允许免费制作本作品的全部或部分数字或硬拷贝以供个人或课堂使用。必须尊重ACM以外的其他人对本作品组成部分的版权。允许用信用证进行摘要。要以其他方式复制或重新发布，在服务器上发布或重新发布到列表，需要事先获得特定许可和/或付费。从请求权限[电子邮件保护]

赞助商

SIGDA:ACM设计自动化特别兴趣小组
IEEE CAS标准

出版商

计算机协会

美国纽约州纽约市

出版历史

出版：2012年7月30日

权限

请求对此文章的权限。

请求权限

检查更新

作者标记

限定符

研究文章

会议

ISLPED’12年

赞助商：

SIGDA公司

ISLPED’12：低功耗电子与设计国际研讨会

2012年7月30日至8月1日

美国加利福尼亚州雷东多海滩

接受率

1159份提交文件中的总接受率为398份，34%

即将召开的会议

24年ISLPED

赞助商：
西格达

ACM/IEEE低功耗电子与设计国际研讨会

2024年8月5日至7日

纽波特海滩，加利福尼亚州，美国

贡献者

其他指标

查看文章指标

文献计量学和引文

文献计量学

文章指标

6
引文总数
查看引文
390
总下载次数

下载次数（过去12个月）12
下载次数（最近6周）2

其他指标

查看作者指标

引文

引用人

查看全部

渡轮BOulkaid O公司亨利奥L总经理莫伊·M拉丹·GRaymond P公司(2023)利用满意模理论对集成电路进行电气规则检查2023年欧洲会议展览设计、自动化和测试（DATE）10.23919/日期56975.2023.10137147(1-2)网上发布日期：2023年4月
https://doi.org/10.23919/DATE56975.2023.10137147
小瓶B阿拉德B(2020)集成电路ESD鲁棒性的可扩展和通用设计指导工具——第一部分IEEE集成电路和系统计算机辅助设计汇刊10.1109/TCAD.2019.296212039:10(3067-3080)在线发布日期：2020年10月
https://doi.org/10.1109/TCAD.2019.2962120
小瓶B费尔·M库劳LGaly P公司提花机B莱斯科特J阿拉德B(2016)芯片级ESD网络探测和验证的自动化工具2016年第38届电气过应力/静电放电研讨会（EOS/ESD）10.1109/EOSESD.2016.7592551(1-10)在线发布日期：2016年9月
https://doi.org/10.109/EOSESD.2016.7592551
Zwerger M公司格拉布·H内贝尔·W阿提恩扎D(2015)模拟掉电模式下非对称老化临界电压条件的检测2015年欧洲设计、自动化和测试会议纪要10.5555/2755753.2757107(1269-1272)在线发布日期：2015年3月9日
https://dl.acm.org/doi/10.5555/27557537107
卡利亚纳姆五世圣路人M亚伯拉罕·J(2015)用于增强RTL和低功耗验证的电源感知多电压自定义内存模型2015年IEEE第33届国际计算机设计会议（ICCD）会议记录10.1109/ICCD.2015.7357080(24-31)在线发布日期：2015年10月18日
https://dl.acm.org/doi/10.109/ICCD.2015.7357080
莱斯科特J德汉P布亚拉W梅德哈特D比利·S(2015)用于大型SoC设计的晶体管级综合ESD验证流程2015年第37届电过应力/静电放电研讨会（EOS/ESD）10.1109/EOSESD.2015.7314740(1-6)在线发布日期：2015年9月
https://doi.org/10.109/EOSESD.2015.7314740

引用人

索引术语

建议

降低高性能低功耗芯片的晶体管可变性

NBTI器件休眠晶体管设计，实现可靠的功率控制

使用氧化物重叠异质结隧道晶体管的低功耗7T SRAM单元的器件和电路级设计、表征和实现

评论

发布于

赞助商

出版商

出版历史

权限

检查更新

作者标记

限定符

会议

接受率

即将召开的会议

其他指标

文章指标

其他指标

引用人

登录选项

完全访问权限

PDF格式

电子阅读器

摘要

工具书类

引用人

索引术语

建议

降低高性能低功耗芯片的晶体管可变性

NBTI器件休眠晶体管设计，实现可靠的功率控制

使用氧化物重叠异质结隧道晶体管的低功耗7T SRAM单元的器件和电路级设计、表征和实现

评论

问询处

发布于

赞助商

出版商

出版历史

权限

检查更新

作者标记

限定符

会议

接受率

即将召开的会议

贡献者

其他指标

文献计量学

文章指标

其他指标

引文

引用人

获取访问权限

登录选项

完全访问权限

查看选项

PDF格式

电子阅读器

数字

其他

分享

共享此出版物链接

在社交媒体上分享

附属公司