D.W.卡尔,L.Sekaric公司,H.G.Craighead;单晶硅中纳米机械共振结构的测量。J.真空。科学。技术。B类1998年11月1日;16 (6): 3821–3824.https://doi.org/10.1116/1.590416
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我们使用电子束光刻技术在单晶硅中制作了非常小(线宽<30 nm)的机械结构。这些结构可以通过在悬浮部分和底层基板之间施加电压来进行电容驱动。光学干涉技术用于检测共振频率高于40MHz的结构的运动。我们采用了一种由315nm周期的方形网格组成的设计,这导致了低质量(∼1×10−13 克)和较大的相对表面积(10−6 厘米2).此外,通过制作亚光学波长特征,可以改变光学特性,从而提高测量灵敏度。我们测量了小振幅下的振荡,其中检测到的光反射变化与驱动振幅成正比。
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