晶体界面的结构在固态反应中起着重要作用。铝合金2O（运行）三/镁铝合金2O（运行）4/MgO体系为研究界面反应过程中界面迁移机制提供了理想的模型体系。镁铝合金2O（运行）4在铝之间生长了层2O（运行）三和MgO，以及铝的原子结构2O（运行）三/镁铝合金2O（运行）4利用像差校正扫描透射电子显微镜对不同生长阶段的界面进行了表征。铝中六方密排（h.c.p.）堆叠形成的氧子晶格2O（运行）三MgAl中立方封闭（c.c.p.）堆叠2O（运行）4在界面处观察到与台阶相关的部分位错。在反应控制的早期生长阶段，这种部分位错与边缘位错共存。然而，在扩散控制的后期生长阶段，这种部分位错占主导地位。观察到的结构表明2O（运行）三/镁铝合金2O（运行）4与铝的接口2O（运行）三通过部分位错的滑动以及铝的交换来实现3+和镁2+阳离子。界面迁移可以设想为一个平面对平面的拉链式运动，它沿着界面重复，促进其传播。镁铝合金2O（运行）4晶粒可以采用具有孪晶取向关系的两个晶体学取向，并通过位错沿相反方向滑动来生长。当反向传播的部分位错和界面台阶相遇时，会形成相互连接的孪晶边界和非相干的∑3晶界2O（运行）4晶粒相互竞争，导致生长选择和MgAl的连续粗化2O（运行）4谷物。这种理解可能有助于解释表现出类似h.c.p./c.c.p.转变的各种材料的界面反应或相变。
