M.De Santis先生,A.贝利,I.涂层,S.格雷尼尔,O.赫克曼,K.赫里科维尼,Y.Joly（约利）,V.朗莱,A.Y.拉莫斯,C.里希特,十、托雷斯,S.Garaudée公司,O.盖蒙德和O.乌尔里奇 具有逆尖晶石结构的钴铁氧体超薄膜是室温下自旋滤波的最佳候选材料。高质量外延CoFe2O（运行）4采用三步法在Ag（001）上制备了厚度约为4nm的薄膜：超薄金属CoFe2合金首先在衬底上以相干外延生长，然后用O处理两次2首先在室温下，然后在退火过程中。利用低能电子衍射、扫描隧道显微镜、俄歇电子能谱和就地掠入射X射线衍射。观察到轻微的四方畸变，由于这种材料的大磁弹性耦合，应能驱动易磁化轴平面内。所谓的反演参数，即铁氧体-尖晶石结构中占据八面体位置的钴分数是其自旋相关电子间隙的关键元素。它是通过以下方式获得的就地钴和铁的共振X射线衍射测量K（K）边缘。数据分析使用FDMNES公司，一个从头算该程序已广泛用于模拟X射线吸收光谱，并表明钴离子主要位于八面体位置，反演参数为0.88（5）。不在现场X射线光电子能谱根据衍射分析获得的值进行估算。
