Ca and S K-edge XANES of CaS calculated by different methods: influence of full potential, core hole and Eu doping

Šipr, O.; Khan, W.; Joly, Y.; Minár, J.

doi:10.1107/S1600577518016144

钙和硫K（K）-不同方法计算CaS边缘XANES：全电势、芯孔和Eu掺杂的影响

钙和硫K（K）-用全势格林函数多重散射法、FLAPW法和有限差分法计算了CaS的边缘谱。这三种技术都能产生类似的光谱。当比较不同的计算结果以及将计算结果与早期的实验数据进行比较时，一些差异仍然接近边缘。在这里，我们发现使用全电势并不会导致原子球近似的显著改进，并且核洞的影响仅限于光吸收原子。用Eu掺杂CaS不会影响Ca和SK（K）-CaS的边缘XANES显著，但可能会产生清洁CaS不存在的前边缘结构。

关键词：XANES公司;CaS公司;全电位;岩心孔.

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