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J.应用。
克里斯特。
(2020).
53
,
734-740
https://doi.org/10.107/S1600576720005154
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用同步辐射近π角衍射法测量单晶压电模量
P.V.古雷瓦
,
N.V.马尔琴科夫
,
A.N.阿特梅夫
,
N.A.阿特米耶夫
,
A.D.贝利亚耶夫
,
A.A.德姆基夫
和
V.A.希什科夫
本文介绍了压电模量的测量
d日
11
硅酸镧镓单晶(LGS,La
三
镓
5
二氧化硅
14
).
压电模量是在接近后向散射的角度通过X射线衍射测量的。这种方案的实验对外部影响(恒定或交变电场、机械载荷、温度变化)引起的晶体晶格常数的相对变化非常敏感
等
指出了该技术的发展机遇,评价了其适用性,讨论了同步辐射近π角衍射法测量LGS单晶压电模量的结果。
关键词:
晶体结构
;
晶格常数变化
;
π附近角度的衍射
;
同步辐射
;
压电晶体
;
压电模量
.
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