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在高温(1173K以上)下成功合成了两种Mg-Al-O结构。透射电子显微镜和群论分析揭示了立方MgAl的存在24和未报告的单斜MgAlx个具有四个域变体的相位。详细讨论了这两个阶段之间的结构关系。该结果为Mg–Al–O氧化物的结构研究提供了依据,Mg–Al-O氧化物是地球下地幔的重要矿物成分,也是半导体薄膜外延生长的衬底。单斜MgAlx个具有畴界的纳米线也可能为工业应用提供高强度的候选材料。

支持信息

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可移植文档格式(PDF)文件https://doi.org/10.107/S1600576718005344/ks5595sup1.pdf
支持图1至6


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