Triple-crystal diffraction studies on ion-implanted and other silicon crystals using a synchrotron source

Harada, J.; Kashiwagura, N.; Ohshima, K.; Sakata, M.; Stevenson, A.W.; Wilkins, S.W.

doi:10.1107/S0108767388004702

用同步辐射源对离子注入和其他硅晶体的三晶衍射研究

A.W.史蒂文森,S.W.威尔金斯,J.原田,北卡西瓦古拉,K.大岛和M.坂田

三晶衍射研究能够清楚地分离Brags峰附近散射的各种实验成分。在这样一个实验中获得的二维强度分布包括在不同方向上延伸的各种分量(Δω_秒,Δ2θ_S公司)空间，其中Δω_秒和Δ2θ_S公司是样品和分析仪/检测器与布拉格条件的偏移角。一维“切片”扫描可以用于研究特定细节，只要已知组件的配置，无论是动态的、运动学的还是仪器布置的各个方面。本文介绍了用常规X射线管和同步辐射源对给定离子注入和其他硅晶体进行三晶衍射的结果，并进行了比较。

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