Resolution analyses for Mössbauer diffraction: resolved TDS profiles in silicon

Crow, M.L.; Djedid, A.; Mullen, J.G.; Schupp, G.; Yelon, W.B.

doi:10.1107/S0108767387098799

穆斯堡尔衍射的分辨率分析：硅中TDS剖面的分辨率

M.L.乌鸦,G.舒普,W.B.Yelon（W.B.耶伦）,J.G.马伦和A.杰迪德

穆斯堡尔分辨率函数γ-用46.48keV跃迁产生的高强度穆斯堡尔辐射测量了硅中444反射附近的射线散射和热扩散散射（TDS）¹⁸³W.首次对分辨率函数进行了一般分析，表明其能量和动量分量可以独立计算，能量分辨率由穆斯堡尔共振决定。动量分辨率椭球的半宽测量为0.011、0.11和1.13Ω^-1分别在横向、纵向和垂直方向。这些半宽度的比率与中子散射中常见的比率有很大不同。这些分析表明，在TDS剖面中观察到的非弹性散射的宽分布与已发表的硅的弹性常数一致。

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