Computation and parametrization of the temperature dependence of Debye–Waller factors for group IV, III–V and II–VI semiconductors

IV、III-V和II-VI族半导体的Debye-Waller因子温度依赖性的计算和参数化

我们计算了0.1~1000K范围内各种IV族、III-V族和II-VI族半导体的德拜-沃勒因子的温度依赖性。描述了用于拟合温度依赖性的方法，并列出了每种材料的拟合参数。德拜-沃勒因子是从广义声子态密度推导出来的，广义声子态密度是从第一性原理推导出来的，使用威恩2k和阿比尼特代码。

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