Umklapp散射的局部临界电阻率

肖恩·哈特诺尔和迭戈·霍夫曼
物理学。修订稿。108,241601–2012年6月13日出版

摘要

通过umklapp散射实现的有效动量弛豫导致温度直流电阻率的幂律,需要在有限动量下显著降低能量谱权重。实现这一点的一种方法是通过费米表面结构,从而获得众所周知的弛豫速率ΓT型2我们观察到,局部临界(能量标度,动量不标度)为有效的umklapp散射提供了一条独特的途径。我们表明,局部临界理论中离子晶格的umklab散射导致ΓT型2Δk个L(左).在这里Δk个L(左)0是(无关或边缘)电荷密度算符的维数J型t吨(ω,k个L(左))在局部临界理论中,在晶格动量k个L(左)我们通过反德西特时空中的爱因斯坦-麦克斯韦理论在全息描述的局部临界理论中的显式计算来说明这一结果。我们进一步表明,在这些局部临界理论中,随机杂质的散射给出了一个普遍的Γ(日志1T型)1.

  • 收到日期:2012年3月21日

内政部:https://doi.org/10.103/PhysRevLett.108.241601

©2012美国物理学会

作者和附属机构

肖恩·哈特诺尔1迭戈·M·霍夫曼2

  • 1斯坦福大学物理系,美国加利福尼亚州斯坦福94305-4060
  • 2美国马萨诸塞州剑桥市哈佛大学物理系02138

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第108卷,第。2012年6月24日至15日

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