物理。修订稿。105，076801（2010）-${mathrm{Bi}}_{2}{mathrm{Se}}_3}中拓扑表面态的Landau量子化$

物理学专题

拓扑表面态的Landau量子化 ${Bi公司}_{2} 硒_{3}$

彭成、宋灿丽、张彤、张彦义、王依林、贾金凤、王靖、王亚宇、朱邦芬、陈曦、马旭村、何珂、王丽丽、西岱、钟芳、谢心成、齐晓良、刘朝兴、张寿成、薛琦坤

物理。修订稿。105，076801–2010年8月9日出版

请参见视点：量子化拓扑表面态保证了拓扑绝缘体中的量子霍尔态

摘要

我们报道了朗道量子化的直接观测 ${Bi公司}_{2} 硒_{3}$ 采用低温扫描隧道显微镜制备薄膜。特别是，我们发现了第零个朗道能级，它被预测会引起拓扑表面态的半量子化霍尔效应。离散朗道能级（LL）的存在和表面杂质对LL的抑制有力地支持了拓扑状态的二维性质。这些观测结果可能最终导致拓扑绝缘体中量子霍尔效应的实现。

收到日期：2010年5月25日

DOI（操作界面）：https://doi.org/10.103/PhysRevLett.105.076801

©2010美国物理学会

观点

量子化拓扑表面态保证了拓扑绝缘体中的量子霍尔态

2010年8月9日出版

对三维拓扑绝缘体表面态中Landau能级的首次实验观察证实了这些能级遵循非常规的量化规则。

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作者和附属机构

彭成¹,灿丽歌¹,张彤（音译）^1,2,张艳怡（Yanyi Zhang）¹,王一林²,金凤佳¹,王静（音译）¹,王亚玉¹,棒棒棒棒¹,席晨^1,*,马旭村^2,†,柯赫²,王丽丽（Lili Wang）²,西岱²,钟芳²,谢信成²,小梁琪^3,4,刘朝兴^4,5,张守成⁴、和齐坤雪^1,2

¹清华大学物理系，北京100084
²中国科学院物理研究所，北京100190
³Microsoft Research，Station Q，加利福尼亚大学，圣巴巴拉，加利福尼亚93106，美国
⁴斯坦福大学物理系，斯坦福加利福尼亚94305，美国
⁵德国维尔茨堡大学物理研究所，邮编：D-97074

^*xc@mail.tsinghua.edu.cn
^†xcma@aphy.iphy.ac.cn

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第105卷，第。2010年8月7日至13日

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