研究发现，共振微纳米串具有极高的质量因子（Qs）。自从发现氮化硅纳米串的高Q以来，对允许这种高质量因子的潜在机制的理解一直是几项研究的主题。到目前为止，已经得出结论，Q因弦张力中储存的高能量而增强。本文通过改变氮化硅微管的几何形状和拉伸应力，系统地研究了弦谐振器中的阻尼机制。测量的质量因数与基于弯曲相关阻尼机制的Q分析模型进行了比较。结果表明，内部材料阻尼限制了宽度为3的窄弦的质量因子Q强烈依赖于宽度，夹紧损失显然似乎是较宽弦的限制阻尼机制。进一步表明，Q受基板中的干涉效应影响，因此受宏观芯片的夹持影响。谐振频率为176 kHz的高应力氮化硅串的最大品质因数高达700万。
内政部：https://doi.org/10.103/PhysRevB.84.165307
