我们提出了InAs/GaAs自组装量子点电子结构和光学性质的原子紧束缚理论。紧密结合模型包括锌蓝对称性、镶嵌面和$\mathrm{<trans\; data-src="s">秒</trans>}{\mathrm{<trans\; data-src="p">第页</trans>}}^{\mathrm{<trans\; data-src="3">三</trans>}}{\mathrm{<trans\; data-src="d">d日</trans>}}^{\mathrm{<trans\; data-src="5">5</trans>}}{\mathrm{<trans\; data-src="s">秒</trans>}}^{<trans\; data-src="\ast ">\ast </trans>}$解释带间和谷间耦合的原子轨道。用价力场方法计算了原子的平衡位置，并用哈里森定律解释了紧束缚哈密顿量因应变而发生的修正。然后，利用构型-相互作用方法，通过对相互作用电子和空穴的多体哈密顿量进行对角化，确定了多激子配合物的电子和光学性质。应变分布方法的计算${\mathrm{<trans\; data-src="10">10</trans>}}^{\mathrm{<trans\; data-src="8">8</trans>}}$通过哈密顿矩阵的对角化，计算了原子的电子和价洞单粒子态${\mathrm{<trans\; data-src="10">10</trans>}}^{\mathrm{<trans\; data-src="7">7</trans>}}$描述了预测的电子和光学性质与InAs/GaAs价带偏置和InAs绝对价带变形势的关系。通过与有效键轨道模型和经验赝势方法所得结果的比较，评估了原子计算的可靠性。

• 收到日期：2009年8月20日

内政部：https://doi.org/10.103/PhysRevB.81.085301