摘要
收到日期：2006年6月22日
图像
图4 CdS点和 具有一层和两层ZnS覆盖层的纳米异质结构。 CdS核心是 每种情况下的直径。 电子（A）和空穴（B）的第一态能级 （点）和 （方框）在 模型（虚线）和 无（完整符号）和（开放符号，STR）应变效应的方法（实线）。 能量标度的起源位于硫化镉价带的顶部。 虚线标记ZnS VB边缘。 ZnS CB边缘位于 . 重用权限（&P） 图6 HH（点）、LH（三角形）、SO（倒三角形）和传导（盒）带沿（001）方向的应变修正限制电位 （a） 、和 （b） 点。 核心半径为 ，外覆层宽度为 ，其中 是未松弛核心的晶格常数。 未受约束的大块标注栏边缘显示为虚线。 重用权限（&P） 图7 单粒子近边光谱 用（a）计算的纳米结构 模型； （b） 考虑应变效应的模型； （c） 方法； （d） 具有应变效应的方法。 内部ZnS芯直径为 ; 外部硫化镉包层厚度为1 ML。 与发射相对应的转换 和强烈的吸收峰( , , 、和 )显示。 图3中对Zn和S使用了相同的原子偶极矩。Cd的原子偶极矩为 , , , 、和 为了比较两个TB模型，激子结合能被忽略了。 重用权限（&P） 图8 核壳和 QDQW纳米结构：第一态的电子（A）和空穴（B）能级 （点）和 （方框）对称。 核心半径为 ，其中 是未松弛的ZnS核的晶格常数。 如图所示，油井和包层为1或2 ML。 线条和符号如图4所示。 （A）中的虚线表示大块ZnS CB边缘 （B）中的虚线标记ZnS价带边缘。 CdS VB边缘位于 . 重用权限（&P） 图10 第一空穴态的电荷密度 对称性 具有a的纳米结构 ZnS芯和1-ML CdS包层：（a） 无应变效应模型； （B） 模型包括应变和晶格弛豫； （C） 无张力接近； （D） 具有应变效应的方法。 圆圈的大小量化了点中间平面上阴离子的电荷密度。 圆圈表示属于外部硫化镉包层的原子； 开环是硫化锌核中的原子。 显示了硫化镉包层中的总电荷密度。 由于只显示了简并流形中的一个状态，因此出现了状态中的小不对称。 重用权限（&P）