采用俄歇电子能谱和电子能量损失谱方法研究了90 K下多晶In顶部Au和Pd薄膜的生长过程和可能的混合通过离子束溅射在熔融石英衬底上沉积，然后逐步用金或钯覆盖，总覆盖范围达5nm。在此过程中，测量了In的俄歇发射线和伴随的等离子体损失线的强度，作为Au或Pd覆盖范围增加的函数。其他信息由提取就地120-eV电子与体电子获得的Pd/In界面能量损失谱的比较${\mathrm{<trans\; data-src="In">在</trans>}}_{\mathrm{<trans\; data-src="3">三</trans>}}$Pd和${\mathrm{<trans\; data-src="In">在</trans>}}_{\mathrm{<trans\; data-src="3">三</trans>}}$${\mathrm{<trans\; data-src="Pd">钯</trans>}}_{\mathrm{<trans\; data-src="5">5</trans>}}$结果表明，在将金或钯沉积到In混合相上的过程中，即使在90 K下也会形成混合相。这种混合限制在金的1.5 nm和钯的0.4 nm范围内，对应的混合层厚度分别为6.0和2.8 nm。对于较高的覆盖率，可以观察到纯金属的增长。

• 收到日期：1993年6月28日

内政部：https://doi.org/10.103/PhysRevB.49.1996