一维广义Fibonacci晶格的带结构和Fourier谱性质

G.Y.Oh和M.H.Lee
物理学。版本B48,12465–1993年11月1日出版

摘要

我们研究了由堆叠规则生成的一维广义斐波那契晶格的电子和傅里叶谱性质S公司+1=S公司n个S公司1带正整数n个,其中S公司第代二进制序列。证明了在大势能极限下,具有特定比容的晶格的能谱n个可由相关特征值τ确定(n个,),我们研究了电子能带结构与傅里叶谱之间的关系。当晶格具有Pisot-Vijayaraghavan(PV)性质时(即,当n个+1>),傅里叶谱与电子能带结构密切相关;傅里叶谱峰的位置和相对强度与能谱间隙的位置和相对于宽度一致。另一方面,当晶格不具有PV特性时(即当n个+1≤),傅里叶谱与电子能带结构没有直接关系;傅里叶谱峰的强度与能谱间隙的宽度无关,而峰的位置对应于间隙的位置。我们还通过对铜平均晶格的详细研究,研究了电子和傅里叶谱特性对堆叠规则初始条件的依赖性(n个=1,=2)具有初始条件S公司1={A类}以及S公司2={AB公司第页}. 发现能量谱的分形结构与整数无关第页,而一些本地电子特性取决于第页还发现傅里叶谱的整体结构取决于第页; 它看起来更加模糊,因此随着第页.

  • 1993年6月3日收到

内政部:https://doi.org/10.103/PhysRevB.48.12465

©1993美国物理学会

作者和附属机构

G.Y.哦李先生

  • 韩国首尔151-742首尔国立大学物理系

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第48卷,第。1993年11月17日至1日

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