Cyclotron Resonance of Electrons and Holes in Silicon and Germanium Crystals

G. Dresselhaus; A. F. Kip; C. Kittel

doi:10.1103/PhysRev.98.368

摘要

对4°K附近硅和锗单晶中载流子的回旋共振实验结果进行了实验和理论讨论。描述了具有良好信噪比的光调制技术。描述了圆极化微波辐射的实验。报道了各向异性效应的完整研究。锗中靠近能带边缘的电子能面是沿着 $〈 111 〉$ 具有纵向质量参数的轴 $米_{我} = (1.58 \pm 0.04) 米$ 和横向质量参数 $米_{吨} = (0.082 \pm 0.001) 米$ 硅中的电子能表面是沿着 $〈 100 〉$ 轴与 $米_{我} = (0.97 \pm 0.02) 米$ ; $米_{吨} = (0.19 \pm 0.01) 米$ 锗和硅中的空穴的能量表面有以下形式 $E类 (k个) = A类 {k个}^{2} \pm {[{B类}^{2} {k个}^{4} + {C类}^{2} ({k个}_{x个}^{2} {k个}_{年}^{2} + {k个}_{年}^{2} {k个}_{z（z）}^{2} + {k个}_{z（z）}^{2} {k个}_{x个}^{2})]}^{\frac{1}{2}} .$ 我们发现，对于锗， $A类 = - (13 \pm 0.2) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ , $| B类 | = (8.9 \pm 0.1) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ , $| C类 | = (10.3 \pm 0.2) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ ; 对于硅， $A类 = - (4.1 \pm 0.2) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ , $| B类 | = (1.6 \pm 0.2) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ , $| C类 | = (3.3 \pm 0.5) (\frac{ℏ^{2}}{2 米})$ 本文讨论了这些常数中可能存在的系统误差。

1954年12月16日收到

内政部：https://doi.org/10.103/PhysRev.98.368

物理审核日志存档

美国物理学会出版

硅和锗晶体中电子和空穴的回旋共振

G.Dresselhaus、A.F.Kip和C.Kittel

物理学。版次。98，368–1955年4月15日出版

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